Datasheet Microchip DN3545N8-G — Ficha de datos

FabricanteMicrochip
SerieDN3545
Numero de parteDN3545N8-G

Estos transistores de modo de agotamiento (normalmente encendidos) utilizan una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado

Hojas de datos

Datasheet DN3545
PDF, 1.8 Mb, Idioma: en, Archivo subido: mayo 13, 2020, Páginas: 14
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET
Extracto del documento
Datasheet DN3545
PDF, 849 Kb, Revisión: 06-27-2014, Archivo subido: nov 15, 2017, Páginas: 6
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET Features
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaProducción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)

Embalaje

PackageSOT-89

Paramétricos

Automotive RecommendedNo
BVdsx min450 V
Lead Count3
Package Width-
RDS20 Ω
Vgs(off) max-3.5 V
Vgs(off) min-1.5 V

Linea modelo

Serie: DN3545 (2)

Clasificación del fabricante

  • High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel

Otros nombres:

DN3545N8G, DN3545N8 G