Datasheet Microchip DN3765 — Ficha de datos
| Fabricante | Microchip |
| Serie | DN3765 |
Este transistor en modo de agotamiento (normalmente activado) utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
Hojas de datos
Datasheet DN3765
PDF, 556 Kb, Idioma: en, Archivo subido: nov 15, 2017, Páginas: 3
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET Features
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET Features
Extracto del documento
Precios
Estado
| DN3765K4-G | |
|---|---|
| Estado del ciclo de vida | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) |
Embalaje
| DN3765K4-G | |
|---|---|
| N | 1 |
| Package | DPAK |
Paramétricos
| Parameters / Models | DN3765K4-G |
|---|---|
| Automotive Recommended | No |
| BVdsx min, V | 650 |
| Lead Count | 3 |
| Package Width | - |
| RDS, Ω | 8 |
| Vgs(off) max, V | -3.5 |
| Vgs(off) min, V | -1.5 |
Linea modelo
Serie: DN3765 (1)
Clasificación del fabricante
- High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel