Datasheet Microchip LND150K1-G — Ficha de datos

FabricanteMicrochip
SerieLND150
Numero de parteLND150K1-G

El LND150 es un transistor de modo de agotamiento de canal N de alto voltaje (normalmente encendido) que utiliza tecnología DMOS lateral

Hojas de datos

Datasheet LND150
PDF, 610 Kb, Idioma: en, Archivo subido: nov 15, 2017, Páginas: 7
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaProducción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)

Embalaje

PackageSOT-23

Paramétricos

Automotive RecommendedNo
BVdsx min500 V
Lead Count3
Package Width1.3mm
RDS1000 Ω
Vgs(off) max-3.0 V
Vgs(off) min-1.0 V

Linea modelo

Clasificación del fabricante

  • High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel

Otros nombres:

LND150K1G, LND150K1 G