Datasheet Texas Instruments CSD87503Q3E — Ficha de datos
| Fabricante | Texas Instruments |
| Serie | CSD87503Q3E |
| Numero de parte | CSD87503Q3E |
MOSFET de doble canal N de 30 V, fuente común 8-VSON -55 a 150
Hojas de datos
CSD87503Q3E 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs datasheet
PDF, 480 Kb, Archivo publicado: sept 13, 2017
Extracto del documento
Precios
Estado
| Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
| Disponibilidad de muestra del fabricante | Sí |
Embalaje
| Pin | 8 |
| Package Type | DTD |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Device Marking | 87503E |
| Width (mm) | 3.3 |
| Length (mm) | 3.3 |
| Thickness (mm) | 1 |
| Mechanical Data | Descargar |
Paramétricos
| Configuration | Dual Common Source |
| ID, package limited | 10 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 89 A |
| Package | SON3x3 mm |
| QG Typ | 13.4 nC |
| QGD Typ | 5.8 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 17.3 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 16.9 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 21.9 mOhms |
| VDS | 30 V |
| VGS | 20 V |
| VGSTH Typ | 1.7 V |
Plan ecológico
| RoHS | Obediente |
Linea modelo
Serie: CSD87503Q3E (2)
- CSD87503Q3E CSD87503Q3ET
Clasificación del fabricante
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor