Datasheet Texas Instruments CSD87503Q3ET — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieCSD87503Q3E
Numero de parteCSD87503Q3ET
Datasheet Texas Instruments CSD87503Q3ET

MOSFET de doble canal N de 30 V, fuente común 8-VSON -55 a 150

Hojas de datos

CSD87503Q3E 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs datasheet
PDF, 480 Kb, Archivo publicado: sept 13, 2017
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricanteNo

Embalaje

Pin8
Package TypeDTD
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device Marking87503E
Width (mm)3.3
Length (mm)3.3
Thickness (mm)1
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

ConfigurationDual Common Source
ID, package limited10 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)89 A
PackageSON3x3 mm
QG Typ13.4 nC
QGD Typ5.8 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V17.3 mOhm
Rds(on) Max at VGS=10V16.9 mOhms
Rds(on) Max at VGS=4.5V21.9 mOhms
VDS30 V
VGS20 V
VGSTH Typ1.7 V

Plan ecológico

RoHSObediente

Linea modelo

Serie: CSD87503Q3E (2)

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor