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Emisor infrarrojo de GaAlAs en encapsulado SMT EMISOR IR 880NM 100MA SMD Estado de la pieza: obsoleta
Emisor infrarrojo de GaAlAs en encapsulado SMT EMISOR IR 880NM 100MA SMD Estado de la pieza: obsoleta
- Fototransistor NPN de silicio en encapsulado SMT
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Potencia de RF GaN-SiC HEMT Transistor de potencia HEMT GaN-SiC de 30 W optimizado con la mejor potencia y eficiencia de onda continua (CW) para aplicaciones culinarias, industriales, científicas y médicas en frecuencias de 2400 MHz a 2500 MHz. El ...- Potencia de RF GaN-SiC HEMT Transistor de potencia HEMT GaN-SiC de 30 W optimizado con la mejor potencia y eficiencia de onda continua (CW) para aplicaciones culinarias, industriales, científicas y médicas en frecuencias de 2400 MHz a 2500 MHz. El ...
- Potencia de RF GaN-SiC HEMT Transistor de potencia HEMT GaN-SiC de 30 W optimizado con la mejor potencia y eficiencia de onda continua (CW) para aplicaciones culinarias, industriales, científicas y médicas en frecuencias de 2400 MHz a 2500 MHz. El ...
Potencia de RF GaN-SiC HEMT Transistor de potencia HEMT GaN-SiC de 300 W optimizado con la mejor potencia y eficiencia de onda continua (CW) para aplicaciones culinarias, industriales, científicas y médicas en frecuencias de 2400 MHz a 2500 MHz. El ...- Potencia de RF GaN-SiC HEMT Transistor de potencia HEMT GaN-SiC de 300 W optimizado con la mejor potencia y eficiencia de onda continua (CW) para aplicaciones culinarias, industriales, científicas y médicas en frecuencias de 2400 MHz a 2500 MHz. El ...
- Potencia de RF GaN-SiC HEMT Transistor de potencia HEMT GaN-SiC de 300 W optimizado con la mejor potencia y eficiencia de onda continua (CW) para aplicaciones culinarias, industriales, científicas y médicas en frecuencias de 2400 MHz a 2500 MHz. El ...
Lámpara LED a todo color de 5,0 mm x 6,0 mm Los dispositivos de color de fuente azul están fabricados con InGaN sobre diodo emisor de luz de SiC. Los dispositivos de color de fuente hipernaranja están fabricados con Diodo emisor de luz DH InGaAlP ...
Diodo de propósito general Diodo de propósito general fabricado en tecnología planar y encapsulado en un paquete de plástico SOD323 (SC-76) muy pequeño.- Diodo de propósito general Diodo de propósito general fabricado en tecnología planar y encapsulado en un paquete de plástico SOD323 (SC-76) muy pequeño.
- Diodo de propósito general Diodo de propósito general fabricado en tecnología planar y encapsulado en un paquete de plástico SOD323 (SC-76) muy pequeño.
- Diodo de propósito general Diodo de propósito general fabricado en tecnología planar y encapsulado en un paquete de plástico SOD323 (SC-76) muy pequeño.
Aplicación LED Qdrc 600 V 8 A 33/43 V TO220 Iso Los triacs alternadores Littelfuse de las series Q6008LH1LED y Q6012LH1LED, así como los QUADRAC de las series Q6008LTH1LED y Q6012LTH1LED para atenuación de LED, ofrecen soluciones robustas para el ...- Aplicación LED Qdrc 600 V 8 A 33/43 V TO220 Iso Los triacs alternadores Littelfuse de las series Q6008LH1LED y Q6012LH1LED, así como los QUADRAC de las series Q6008LTH1LED y Q6012LTH1LED para atenuación de LED, ofrecen soluciones robustas para el ...