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Amplificador operacional RRIO de precisión, doble canal y alto voltaje para automoción, en encapsulado VSSOP-8. La familia de dispositivos TLV197-Q1, TLV2197-Q1 y TLV4197-Q1 (TLVx197-Q1) forma parte de una nueva generación de amplificadores ...- Amplificador operacional RRIO de precisión, de un solo canal y alto voltaje para automoción, en encapsulado VSSOP-8. La familia de dispositivos TLV197-Q1, TLV2197-Q1 y TLV4197-Q1 (TLVx197-Q1) forma parte de una nueva generación de amplificadores ...
Rectificador de montaje superficial con barrera Schottky de 3 A y 90 V en encapsulado DO-214AB (SMC).- Rectificador de montaje superficial con barrera Schottky de 3 A y 60 V en encapsulado DO-214AB (SMC).
- Rectificador de montaje superficial con barrera Schottky de 3 A y 50 V en encapsulado DO-214AB (SMC).
- Rectificador de montaje superficial con barrera Schottky de 3 A y 40 V en encapsulado DO-214AB (SMC).
- Rectificador de montaje superficial con barrera Schottky de 3 A y 30 V en encapsulado DO-214AB (SMC).
- Rectificador de montaje superficial con barrera Schottky de 3 A y 20 V en encapsulado DO-214AB (SMC).
- Rectificador de montaje superficial con barrera Schottky de 3 A y 200 V en encapsulado DO-214AB (SMC).
- Rectificador de montaje superficial con barrera Schottky de 3 A y 150 V en encapsulado DO-214AB (SMC).
- Rectificador de montaje superficial con barrera Schottky de 3 A y 100 V en encapsulado DO-214AB (SMC).
Circuito integrado para motor de CC trifásico sin escobillas para automoción en encapsulado 36-VFQFPN- Rectificador de barrera Schottky de montaje superficial de 20 V en encapsulado SMC (DO-214AB)
- Rectificador de barrera Schottky de montaje superficial de 30 V en encapsulado SMC (DO-214AB)
- Rectificador de barrera Schottky de montaje superficial de 40 V en encapsulado SMC (DO-214AB)
- Rectificador de barrera Schottky de montaje superficial de 60 V en encapsulado SMC (DO-214AB)
- Rectificador de barrera Schottky de montaje superficial de 50 V en encapsulado SMC (DO-214AB)
Rectificador de puente monofásico pasivado con vidrio de 1,0 A en encapsulado DFM.
MOSFET de canal N de 60 V en encapsulado SOT-23
Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-220F