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Resistencia de potencia de 50 W con tecnología de película gruesa Características 50 W a 50 °C de temperatura de la caja con disipador de calor montado Montaje directo de cerámica sobre disipador de calor Amplio rango de resistencia: 0,010 Ω a 450 kΩ- Resistencia de potencia de 50 W con tecnología de película gruesa Características 50 W a 50 °C de temperatura de la caja con disipador de calor montado Montaje directo de cerámica sobre disipador de calor Amplio rango de resistencia: 0,010 Ω a 450 kΩ
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Sensor de ángulo magnético omnipolar en paquete LGA8L El sensor de ángulo magnético omnipolar LF53464 es un sensor magnético de alta precisión que mide ángulos de 0 a 360 grados en los ejes X e Y, con compensación de deriva térmica, lo que ...- Sensor de ángulo magnético omnipolar en paquete LGA8L El sensor de ángulo magnético omnipolar LF53464 es un sensor magnético de alta precisión que mide ángulos de 0 a 360 grados en los ejes X e Y, con compensación de deriva térmica, lo que ...
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MOSFET de canal N doble de 30 V (DS)
MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.- MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.- MOSFET de trinchera de canal N de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal N de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.