Datasheet Toshiba SSM6N813R — Ficha de datos
| Fabricante | Toshiba |
| Serie | SSM6N813R |
| Numero de parte | SSM6N813R |
MOSFET de señal pequeña 2 en 1
Hojas de datos
SSM6N813R Data sheet/English
PDF, 440 Kb, Idioma: en, Archivo publicado: sept, 2018
Extracto del documento
Precios
Estado
| Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Embalaje
| Manufacture Package Code | TSOP6F |
Paramétricos
| Application Scope | Power Management Switches |
| Assembly bases | Thailand |
| Component Product (Q1) | SSM6N813R |
| Component Product (Q2) | SSM6N813R |
| Drain-Source on-resistance (Q1/Q2) (Max) [|VGS|=10V] | 112 mΩ |
| Drain-Source on-resistance (Q1/Q2) (Max) [|VGS|=4.5V] | 154 mΩ |
| Gate threshold voltage (Q1/Q2) (Max) | 2.5 V |
| Generation | U-MOSⅧ-H |
| Input capacitance (Q1/Q2) (Typ.) | 242 pF |
| Internal Connection | Independent |
| Polarity | N-ch×2 |
| Total gate charge (Q1/Q2) (Typ.) [VGS=4.5V] | 3.6 nC |
Plan ecológico
| RoHS | Obediente |
Linea modelo
Serie: SSM6N813R (3)
- SSM6N813R SSM6N813R,LF SSM6N813R,LXGF
Clasificación del fabricante
- MOSFETs