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100 V, 231 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor
Diode for 1mW Class Rectifier in DFN1212-4-HD package The NT9003HDAE4S is a 1 mW-class rectifier diode optimized for rectifier circuits in microwave WPT operating in the 920 MHz, 2.4 GHz, and 5.7 GHz bands. This diode features low forward voltage ...
- Diode for 1mW Class Rectifier in DFN1212-4-HD package The NT9002HDAE4S is a 1 mW-class rectifier diode optimized for rectifier circuits in microwave WPT operating in the 920 MHz, 2.4 GHz, and 5.7 GHz bands. This diode features low forward voltage ...
- Diode for 1W Class Rectifier in DFN1212-4-HD package The NT9001HDAE4S is a 1 W-class rectifier diode optimized for rectifier circuits in microwave WPT operating in the 920 MHz, 2.4 GHz, and 5.7 GHz bands. This diode features low forward voltage and ...
- Diode for 1W Class Rectifier in DFN1212-4-HD package The NT9000HDAE4S is a 1 W-class rectifier diode optimized for rectifier circuits in microwave WPT operating in the 920 MHz, 2.4 GHz, and 5.7 GHz bands. This diode features low forward voltage and ...
Low I Q , Dual, 2-Phase Synchronous Step-Down Controller for GaN FETs in 40-Lead QFN (6mm x 6mm, Plastic Side Wettable) package The LTC7890 is a high performance, dual step-down, dc-to-dc switching regulator controller that drives all N-channel ...
100V Low I Q , Synchronous Boost Controller for GaN FETs in 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) package The LTC7893 is a high performance, step-up, dc-to-dc switching regulator controller that drives all N-channel synchronous gallium ...- Low I Q , Dual, 2-Phase Synchronous Boost Controller for GaN FETs in 40-Lead QFN (6mm x 6mm, Plastic Side Wettable) package The LTC7892 is a high-performance dual boost DC-to-DC switching regulator controller that drives all N-channel synchronous ...
- 100 V, Low I Q , Synchronous Step-Down Controller for GaN FETs in 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) package The LTC7891 is a high performance, step-down, dc-to-dc switching regulator controller that drives all N-channel synchronous ...
MOSFET de pequeña señal de canal N de 30 V en encapsulado SOT-23
Termistores NTC para medición de temperatura en formato de disco, encapsulado de 4,5 mm de diámetro x 4,5 mm de ancho. Termistores NTC con terminales, separación entre terminales de 2,5 mm.
SCR de montaje pasante de 7,4 A y 400 V en encapsulado TO-64- SCR de montaje pasante de 7,4 A y 300 V en encapsulado TO-64
- SCR de montaje pasante de 7,4 A y 200 V en encapsulado TO-64
- SCR de 7,4 A, 100 V de montaje pasante en encapsulado TO-64
Rectificador controlado de silicio 13A en encapsulado TO-48 ISO Disponible como dispositivo de alta fiabilidad según MIL-PRF-19500. Indique el sufijo -HR después del número de pieza. Contacto para flujo -HR. Añada el sufijo PBF para acabado de ...- Rectificador controlado de silicio 13A en encapsulado TO-48 ISO Disponible como dispositivo de alta fiabilidad según MIL-PRF-19500. Indique el sufijo -HR después del número de pieza. Contacto para flujo -HR. Añada el sufijo PBF para acabado de ...
- Rectificador controlado de silicio 13A en encapsulado TO-48 ISO Disponible como dispositivo de alta fiabilidad según MIL-PRF-19500. Indique el sufijo -HR después del número de pieza. Contacto para flujo -HR. Añada el sufijo PBF para acabado de ...
- Rectificador controlado de silicio 13A en encapsulado TO-48 ISO Disponible como dispositivo de alta fiabilidad según MIL-PRF-19500. Indique el sufijo -HR después del número de pieza. Contacto para flujo -HR. Añada el sufijo PBF para acabado de ...
Transistor Darlington bipolar NPN de alto voltaje en encapsulado TO-92 Este transistor Darlington bipolar NPN está diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación, como interruptores de percusión, relés, solenoides y controladores de lámparas. ...