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1. CLF09H4LS800PU — Datasheet Ampleon
   800 W Internally pre-matched GaN HEMT in SOT-1214B package The CLF09H4LS800P is a 800 W internally pre-matched RF GaN HEMT power transistor that is usable at frequencies from 902 MHz to 928 MHz. Parameter Value Manufacturer Ampleon Type RF GaN ...
2. MBR30150CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR30150CT
   

   30 A, 150 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB

3. MBR30100CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR30100CT
   

   30 A, 100 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
4. MBR3090CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR3090CT
   

   30 A, 90 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
5. MBR3050CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR3050CT
   

   30 A, 50 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
6. MBR3045CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR3045CT
   

   30 A, 45 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
7. MBR3035CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR3035CT
   

   30 A, 35 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
8. MBR3060CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR3060CT
   

   30 A, 60 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
9. JX3S0040090M — Datasheet JX Semiconductor
   FET, MOSFET simples JX Semiconductor JX3S0040090M
   

   MOSFET de SiC de canal N de 900 V en encapsulado TO247-3 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
10. PAM8408DR — Datasheet Diodes
    Amplificadores de audio Diodes PAM8408 PAM8408DR
    

    Entrada diferencial estéreo de 3 W, clase D, con control de volumen ascendente/descendente con memoria, encapsulado SO-16L. Pieza alternativa: PAM8019E El PAM8408 es un amplificador de clase D sin filtro con alta relación señal/ruido y entrada ...
11. HER307G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Simple Taiwan Semiconductor HER307 HER307G
    

    Rectificador de recuperación de alta eficiencia de 75 ns, 3 A, 800 V en encapsulado DO-201AD
12. HER306G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Simple Taiwan Semiconductor HER306 HER306G
    

    Rectificador de recuperación de alta eficiencia de 75 ns, 3 A, 600 V en encapsulado DO-201AD
13. HER305G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Simple Taiwan Semiconductor HER305 HER305G
    

    Rectificador de recuperación de alta eficiencia de 50 ns, 3 A, 400 V en encapsulado DO-201AD
14. HER304G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Simple Taiwan Semiconductor HER304 HER304G
    

    Rectificador de recuperación de alta eficiencia de 50 ns, 3 A, 300 V en encapsulado DO-201AD
15. HER303G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Simple Taiwan Semiconductor HER303 HER303G
    

    Rectificador de recuperación de alta eficiencia de 50 ns, 3 A, 200 V en encapsulado DO-201AD
16. HER302G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Simple Taiwan Semiconductor HER302 HER302G
    

    Rectificador de recuperación de alta eficiencia de 50 ns, 3 A, 100 V en encapsulado DO-201AD
17. HER301G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Simple Taiwan Semiconductor HER301 HER301G
    

    Rectificador de recuperación de alta eficiencia de 50 ns, 3 A, 50 V en encapsulado DO-201AD
18. HER308G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Simple Taiwan Semiconductor HER308 HER308G
    

    Rectificador de recuperación de alta eficiencia de 75 ns, 3 A, 1000 V en encapsulado DO-201AD
19. 6Н23П — Datasheet -
    Tubos de vacio 6Н23П
    

    Двойной триод Советская/российская minиатюрная двойная триодная лампа (в одном баллоне два независимых триода), выполненная по натяжной (spanngitter) Tecnologías de la tecnología compuestas por 9 unidades (noval). La lámpara de encendido para el ...
20. SiHFP450N — Datasheet Vishay
    FET, MOSFET simples Vishay SiHFP450N
    

    MOSFET de potencia en encapsulado TO-247