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- Diodos - Rectificadores Simple STMicroelectronics BAT43
Diodos y rectificadores Schottky STMicroelectronics BAT43
30 V, 200 mA Axial Propósito general Señal Diodo Schottky Diodos de metal a silicio de uso general que ofrecen una conmutación rápida de voltaje de encendido muy bajo. Estos dispositivos tienen protección integrada contra voltaje excesivo como ... - Diodos - Rectificadores Simple STMicroelectronics BAT42
Diodos y rectificadores Schottky STMicroelectronics BAT4230 V, 200 mA Axial Propósito general Señal Diodo Schottky Diodos de metal a silicio de uso general que ofrecen una conmutación rápida de voltaje de encendido muy bajo. Estos dispositivos tienen protección integrada contra voltaje excesivo como ...
Pantalla giratoria TSD con resolución de 240x240 y microcontrolador STM32C091. El modelo TSD TFT (número de artículo TSS013004A-AD) es una pantalla LCD TFT redonda IPS de 1,3 pulgadas con resolución de 240x240 y microcontrolador STM32C091. Es ...
Transistor de potencia GaN de modo de enriquecimiento de 100 V, 231 A
Diodo para rectificador de clase 1 mW en encapsulado DFN1212-4-HD El NT9003HDAE4S es un diodo rectificador de 1 mW optimizado para circuitos rectificadores de transferencia de energía inalámbrica por microondas (WPT) que operan en las bandas de 920 ...- Diodo para rectificador de clase 1 mW en encapsulado DFN1212-4-HD El NT9002HDAE4S es un diodo rectificador de 1 mW optimizado para circuitos rectificadores de transferencia de energía inalámbrica por microondas (WPT) que operan en las bandas de 920 ...
- Diodo para rectificador de clase 1W en encapsulado DFN1212-4-HD El NT9001HDAE4S es un diodo rectificador de 1 W optimizado para circuitos rectificadores en transferencia de energía inalámbrica por microondas (WPT) que operan en las bandas de 920 ...
- Diodo para rectificador de clase 1W en encapsulado DFN1212-4-HD El NT9000HDAE4S es un diodo rectificador de 1 W optimizado para circuitos rectificadores de transferencia de energía inalámbrica por microondas (WPT) que operan en las bandas de 920 ...
Controlador reductor síncrono dual de dos fases y bajo I Q para transistores GaN FET en encapsulado QFN de 40 pines (6 mm x 6 mm, lado plástico humectable). El LTC7890 es un controlador regulador de conmutación CC-CC de doble reductor de alto ...
Controlador elevador síncrono de 100 V con baja corriente de cortocircuito (I Q) para transistores FET de GaN en encapsulado QFN de 28 pines (4 mm x 5 mm, lado plástico humectable). El LTC7893 es un controlador regulador de conmutación CC-CC ...- Controlador elevador síncrono de doble fase y bajo I Q para FET de GaN en encapsulado QFN de 40 pines (6 mm x 6 mm, lado plástico humectable). El LTC7892 es un controlador regulador de conmutación CC-CC de doble refuerzo de alto rendimiento que ...
- Controlador reductor síncrono de 100 V, bajo I Q , para FET de GaN en encapsulado QFN de 28 pines (4 mm x 5 mm, lado plástico humectable). El LTC7891 es un controlador regulador de conmutación CC-CC reductor de alto rendimiento que controla todas ...
MOSFET de pequeña señal de canal N de 30 V en encapsulado SOT-23
Termistores NTC para medición de temperatura en formato de disco, encapsulado de 4,5 mm de diámetro x 4,5 mm de ancho. Termistores NTC con terminales, separación entre terminales de 2,5 mm.
SCR de montaje pasante de 7,4 A y 400 V en encapsulado TO-64- SCR de montaje pasante de 7,4 A y 300 V en encapsulado TO-64
- SCR de montaje pasante de 7,4 A y 200 V en encapsulado TO-64
- SCR de 7,4 A, 100 V de montaje pasante en encapsulado TO-64
Rectificador controlado de silicio 13A en encapsulado TO-48 ISO Disponible como dispositivo de alta fiabilidad según MIL-PRF-19500. Indique el sufijo -HR después del número de pieza. Contacto para flujo -HR. Añada el sufijo PBF para acabado de ...- Rectificador controlado de silicio 13A en encapsulado TO-48 ISO Disponible como dispositivo de alta fiabilidad según MIL-PRF-19500. Indique el sufijo -HR después del número de pieza. Contacto para flujo -HR. Añada el sufijo PBF para acabado de ...