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MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.- MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
20 V, single P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.- MOSFET de trinchera de canal N de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal N de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal N de 40 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal N de 40 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal P de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal P de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal P de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal P de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- Contador bidireccional síncrono de 4 etapas El AC169 es un contador ascendente/descendente de 4 etapas totalmente síncrono. Es un contador binario módulo 16. Cuenta con función de preajuste para operación programable, acarreo anticipado para ...
- Contador bidireccional síncrono de 4 etapas El AC169 es un contador ascendente/descendente de 4 etapas totalmente síncrono. Es un contador binario módulo 16. Cuenta con función de preajuste para operación programable, acarreo anticipado para ...
- Contador bidireccional síncrono de 4 etapas El AC169 es un contador ascendente/descendente de 4 etapas totalmente síncrono. Es un contador binario módulo 16. Cuenta con función de preajuste para operación programable, acarreo anticipado para ...
- Contador bidireccional síncrono de 4 etapas El AC169 es un contador ascendente/descendente de 4 etapas totalmente síncrono. Es un contador binario módulo 16. Cuenta con función de preajuste para operación programable, acarreo anticipado para ...
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Módulo de Bluetooth a puerto serie
Sensor infrarrojo piroeléctrico El sensor infrarrojo piroeléctrico detecta la radiación infrarroja mediante la función dependiente de la temperatura. Suprime la interferencia causada por los cambios de temperatura y adopta el método de elementos de ...- Microcontrolador de propósito general de 32 bits basado en Arm Cortex-M4 RISC El dispositivo GD32E103xx pertenece a la línea de conectividad de la familia de microcontroladores GD32. Es un microcontrolador de propósito general de 32 bits basado en ...