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Supresor de voltaje transitorio de montaje en superficie 600W- Rectificador de potencia Schottky, de montaje superficial, 2,0 A, 40 V en encapsulado 403A-03 El rectificador Schottky emplea el principio de barrera Schottky en un rectificador de potencia de metal a silicio. Presenta una construcción epitaxial ...
- Módulo CC-CC aislado de 5V/5V, 1,5W, 3kVrms con transformador integrado. El UCC33420 es un módulo de alimentación CC/CC industrial con tecnología de transformador integrado, diseñado para proporcionar una potencia de salida aislada de 1,5 W. Admite ...
- Módulo CC/CC aislado, regulado, de 5,5 V a 20 V VIN, 1,5 W, 5 kV RMS, con transformador integrado. El UCC34141-Q1 es un módulo de potencia CC/CC de alta tensión de trabajo, con aislamiento reforzado y homologado para automoción, diseñado para ...
Transformadores RF de banda ancha WB
Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-247- Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-247
- Diodos - Rectificadores Simple STMicroelectronics BAT43
Diodos y rectificadores Schottky STMicroelectronics BAT43
30 V, 200 mA Axial Propósito general Señal Diodo Schottky Diodos de metal a silicio de uso general que ofrecen una conmutación rápida de voltaje de encendido muy bajo. Estos dispositivos tienen protección integrada contra voltaje excesivo como ... - Diodos - Rectificadores Simple STMicroelectronics BAT42
Diodos y rectificadores Schottky STMicroelectronics BAT4230 V, 200 mA Axial Propósito general Señal Diodo Schottky Diodos de metal a silicio de uso general que ofrecen una conmutación rápida de voltaje de encendido muy bajo. Estos dispositivos tienen protección integrada contra voltaje excesivo como ... 
Pantalla giratoria TSD con resolución de 240x240 y microcontrolador STM32C091. El modelo TSD TFT (número de artículo TSS013004A-AD) es una pantalla LCD TFT redonda IPS de 1,3 pulgadas con resolución de 240x240 y microcontrolador STM32C091. Es ...
Transistor de potencia GaN de modo de enriquecimiento de 100 V, 231 A
Diodo para rectificador de clase 1 mW en encapsulado DFN1212-4-HD El NT9003HDAE4S es un diodo rectificador de 1 mW optimizado para circuitos rectificadores de transferencia de energía inalámbrica por microondas (WPT) que operan en las bandas de 920 ...- Diodo para rectificador de clase 1 mW en encapsulado DFN1212-4-HD El NT9002HDAE4S es un diodo rectificador de 1 mW optimizado para circuitos rectificadores de transferencia de energía inalámbrica por microondas (WPT) que operan en las bandas de 920 ...
- Diodo para rectificador de clase 1W en encapsulado DFN1212-4-HD El NT9001HDAE4S es un diodo rectificador de 1 W optimizado para circuitos rectificadores en transferencia de energía inalámbrica por microondas (WPT) que operan en las bandas de 920 ...
- Diodo para rectificador de clase 1W en encapsulado DFN1212-4-HD El NT9000HDAE4S es un diodo rectificador de 1 W optimizado para circuitos rectificadores de transferencia de energía inalámbrica por microondas (WPT) que operan en las bandas de 920 ...
Controlador reductor síncrono dual de dos fases y bajo I Q para transistores GaN FET en encapsulado QFN de 40 pines (6 mm x 6 mm, lado plástico humectable). El LTC7890 es un controlador regulador de conmutación CC-CC de doble reductor de alto ...
Controlador elevador síncrono de 100 V con baja corriente de cortocircuito (I Q) para transistores FET de GaN en encapsulado QFN de 28 pines (4 mm x 5 mm, lado plástico humectable). El LTC7893 es un controlador regulador de conmutación CC-CC ...- Controlador elevador síncrono de doble fase y bajo I Q para FET de GaN en encapsulado QFN de 40 pines (6 mm x 6 mm, lado plástico humectable). El LTC7892 es un controlador regulador de conmutación CC-CC de doble refuerzo de alto rendimiento que ...
- Controlador reductor síncrono de 100 V, bajo I Q , para FET de GaN en encapsulado QFN de 28 pines (4 mm x 5 mm, lado plástico humectable). El LTC7891 es un controlador regulador de conmutación CC-CC reductor de alto rendimiento que controla todas ...
MOSFET de pequeña señal de canal N de 30 V en encapsulado SOT-23