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- Bobina de modo común de CA
Bobina de modo común de CA en encapsulado vertical de 4 pines para placa de circuito impreso.
Transistor DMOS vertical de canal N con modo de enriquecimiento en encapsulado E-Line
Fusible rearmable PTC de montaje superficial, compatible con AEC-Q, con tiempo de disparo rápido y altas corrientes de retención, en encapsulado de tamaño de chip 2920. Tensión máxima de 6 a 60 V CC, rango de corriente de funcionamiento (retención) ...
Circuito integrado comparador de doble voltaje diseñado para aplicaciones de comparación de señales analógicas, detección de umbrales y monitorización de fuentes de alimentación en encapsulado DIP-8. El dispositivo funciona con un amplio rango de ...
1 Formulario A 10 A Relés de potencia pequeños polarizados
MOSFET de modo de enriquecimiento de canal P de 30 V en encapsulado SOT23- MOSFET de canal P único de PowerTrench en encapsulado SOT-23 Este MOSFET de nivel lógico de canal P se fabrica mediante un proceso Power Trench avanzado, especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activo y, al mismo tiempo, ...
Receptor infrarrojo miniaturizado para control remoto y otras aplicaciones que requieren una mejor supresión de la luz ambiental en un encapsulado metálico tipo TSOP. El diodo PIN y el circuito integrado preamplificador se ensamblan en un único ...
Sensor digital de humedad y temperatura con una tolerancia de ±3%. La serie de sensores de humedad digitales SHT2x se utiliza en grandes volúmenes en una amplia variedad de aplicaciones y se ha convertido en el estándar de facto de la industria. La ...
Circuito integrado de etapa de potencia electrónica de 100 V y 20 A Transistores FET eGaN de lado alto y lado bajo integrados con controlador de puerta interno y convertidor de nivel. Corriente de carga de la etapa de potencia: 20 A. Tensión de ...
Circuito integrado de etapa de potencia electrónica de 100 V y 20 A Transistores FET eGaN de lado alto y lado bajo integrados con controlador de puerta interno y convertidor de nivel. Corriente de carga de la etapa de potencia: 20 A. Tensión de ...- Circuitos integrados de etapa de potencia de medio puente Efficient Power Conversion EPC23109 EPC23109ENGRT
Circuito integrado de etapa de potencia electrónica de 100 V y 35 A Transistores FET eGaN de lado alto y lado bajo integrados con controlador de puerta interno y convertidor de nivel. Corriente de carga de la etapa de potencia: 35 A. Tensión de ... 
Circuito integrado de etapa de potencia electrónica de 100 V y 35 A Transistores FET eGaN de lado alto y lado bajo integrados con controlador de puerta interno y convertidor de nivel. Corriente de carga de la etapa de potencia: 35 A. Tensión de ...
Conector Mmcx str pcb 50 6g Hz brs b
Conector de radiofrecuencia SMA
Conector de radiofrecuencia SMA Jack STR 50 OHM PCB
Conector SMA de montaje en borde IP68 IP69K, conector hembra SMA de 50 ohmios para montaje en borde de placa, lanzamiento final; soldadura para montaje en panel
Conector SMA de ángulo recto de latón - Chapado en oro, polaridad estándar, montaje en PCB, orificio pasante, sin clasificación
Conector SMA recto de latón - Chapado en oro, polaridad estándar, montaje en PCB, orificio pasante, sin clasificación