Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN4 — Ficha de datos

FabricanteSTMicroelectronics
SerieMASTERGAN4
Numero de parteMASTERGAN4

Controlador de medio puente de 600 V de alta densidad de potencia con dos modos de mejora GaN HEMT

Hojas de datos

Datasheet MasterGaN4
PDF, 480 Kb, Idioma: en, Archivo subido: abr 15, 2021, Páginas: 27
High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
Extracto del documento

Precios

Descripción detallada

Todas las características
  • Sistema en paquete de 600 V que integra un controlador de puerta de medio puente y transistores de potencia de GaN de alto voltaje:
    • Paquete QFN 9 x 9 x 1 mm
    • R DS (ENCENDIDO) = 225 mΩ
    • I DS (MÁX.) = 6,5 A
  • Capacidad de corriente inversa
  • Pérdida de recuperación inversa cero
  • Protección UVLO en el lado alto y bajo
  • Diodo de arranque interno
  • Función de enclavamiento
  • Pin dedicado para apagar la funcionalidad

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)

Embalaje

PackageVFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Linea modelo

Serie: MASTERGAN4 (2)

Clasificación del fabricante

  • Power Management > Gate Drivers > High Voltage Half Bridge Gate Drivers