Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN4 — Ficha de datos

FabricanteSTMicroelectronics
SerieMASTERGAN4

Controlador de medio puente de 600 V de alta densidad de potencia con dos modos de mejora GaN HEMT

Hojas de datos

Datasheet MasterGaN4
PDF, 480 Kb, Idioma: en, Archivo subido: abr 15, 2021, Páginas: 27
High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
Extracto del documento

Precios

Descripción detallada

Todas las características
  • Sistema en paquete de 600 V que integra un controlador de puerta de medio puente y transistores de potencia de GaN de alto voltaje:
    • Paquete QFN 9 x 9 x 1 mm
    • R DS (ENCENDIDO) = 225 mΩ
    • I DS (MÁX.) = 6,5 A
  • Capacidad de corriente inversa
  • Pérdida de recuperación inversa cero
  • Protección UVLO en el lado alto y bajo
  • Diodo de arranque interno
  • Función de enclavamiento
  • Pin dedicado para apagar la funcionalidad

Estado

MASTERGAN4MASTERGAN4TR
Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)Activo (Recomendado para nuevos diseños)

Embalaje

MASTERGAN4MASTERGAN4TR
PackageVFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MMVFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Linea modelo

Serie: MASTERGAN4 (2)

Clasificación del fabricante

  • Power Management > Gate Drivers > High Voltage Half Bridge Gate Drivers