Datasheet ON Semiconductor MTP3N60E/D — Ficha de datos

FabricanteON Semiconductor
SerieMTP3N60E
Numero de parteMTP3N60E/D

TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

Hojas de datos

Datasheet MTP3N60E
PDF, 292 Kb, Idioma: en, Archivo subido: sept 27, 2022, Páginas: 9
TMOS E−FET High Energy Power FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate
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Descripción detallada

Este avanzado TMOS E-FET de alto voltaje está diseñado para soportar alta energía en el modo de avalancha y cambiar de manera eficiente.

Este nuevo dispositivo de alta energía también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo de recuperación rápido. Diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alto voltaje, como fuentes de alimentación, controles de motor PWM y otras cargas inductivas, la capacidad de energía de avalancha se especifica para eliminar las conjeturas en diseños donde se conmutan cargas inductivas y ofrece un margen de seguridad adicional contra transitorios de voltaje inesperados.

Linea modelo

Serie: MTP3N60E (1)
  • MTP3N60E/D

Clasificación del fabricante

  • Discretes & Drivers > MOSFETs