Datasheets - Transistores MOSFET Simple ON Semiconductor

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
Fabricante: "ON Semiconductor"
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  1. MOSFET de potencia UltraFET de canal N de 100 V, 75 A, 8 mΩ
  2. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N 100 V, 170 mA, 6 Ω Este MOSFET de modo de mejora de canal N se produce utilizando una tecnología DMOS patentada de alta densidad celular. Este producto ha sido diseñado para ...
  1. TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate Este avanzado TMOS E-FET de alto voltaje está diseñado para soportar alta energía en el modo de avalancha y cambiar de manera eficiente. Este nuevo dispositivo de alta energía ...
  2. MOSFET de pequeña señal 200V 250mA 10 Ohm Canal N único TO-92 Nivel lógico Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alto voltaje, como controladores de línea, controladores de relé, lógica CMOS, microprocesador ...
  1. FET digital de canal N de 25 V, 0,68 A, 0,45 Ω Estos transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal N se producen utilizando una tecnología DMOS patentada de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad está diseñado para ...
  2. Puertas lógicas de 2 entradas configurables universales TinyLogic ULP-A El NC7SV57 y NC7SV58 son puertas lógicas de dos entradas configurables universales de la serie de energía ultrabaja (ULP-A) de ON Semiconductor de TinyLogic. ULP-A es ideal ...
  3. Potencia MOSFET 30V 35A 15 mOhm Canal N único DPAK Energía MOSFET 30 V, 35 A, canal N único, DPAK / IPAK
  4. MOSFET de potencia MOSFET de potencia 100 V, 12 A, canal N, nivel lógico DPAK
  5. MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,6 mΩ, TO247−4L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
  6. MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 12 mΩ, TO247−4L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
  7. MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,3 mΩ, D2PAK − 7L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
  8. MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 12 mΩ, D2PAK − 7L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
  9. Potencia MOSFET -500V -2A 6 Ohmios de un solo canal P TO-220 Este MOSFET de alto voltaje utiliza un esquema de terminación avanzado para proporcionar una capacidad mejorada de bloqueo de voltaje sin degradar el rendimiento con el tiempo. Además, ...
  10. PowerTrench de doble canal P MOSFET, 1.8V especificado, -20V, -2.3A, 115mΩ
  11. MOSFET PowerTrench de doble canal N de 2,5 V especificado 20 V, 7,5 A, 18 mΩ
  12. PowerTrench especificado de 1.8V para canal P MOSFET -20 V, -2,4 A, 52 mΩ
  13. MOSFET de señal pequeña complementario con protección ESD 20V
  14. Canal P 2.5V especificado PowerTrench MOSFET -20V, -10A, 13mΩ
  15. Canal T PowerTrench MOSFET, -40V, -50A, 12.3mΩ Este MOSFET de canal P se ha producido utilizando una tecnología patentada PowerTrench para ofrecer una baja DSR (encendido) y una capacidad Bvdss optimizada para ofrecer un beneficio de rendimiento ...
  16. PowerTrench de nivel lógico de un solo canal P MOSFET -20V, -1.3A, 200mΩ

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