Datasheet Inchange Semiconductor IXFH26N50 — Ficha de datos

FabricanteInchange Semiconductor
SerieIXFH26N50
Numero de parteIXFH26N50
Datasheet Inchange Semiconductor IXFH26N50

Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-247

Hojas de datos

Datasheet IXFH26N50
PDF, 396 Kb, Idioma: en, Archivo subido: dic 1, 2025, Páginas: 2
N-Channel MOSFET Transistor in TO-247 package
Extracto del documento

Descripción detallada

Características

  • Corriente de drenaje: ID = 26 A a TC = 25 ℃
  • Voltaje de la fuente de drenaje: VDSS = 500 V (mín.)
  • Resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) = 0,2 Ω (máx.) a VGS = 10 V
  • 100% probado contra avalanchas
  • Variaciones mínimas entre lotes para un rendimiento robusto del dispositivo y un funcionamiento confiable