Datasheet JX Semiconductor JX3S0750170M — Ficha de datos
| Fabricante | JX Semiconductor |
| Serie | JX3S0750170M |
| Numero de parte | JX3S0750170M |
MOSFET de canal N de SiC de 1700 V en encapsulado TO-247
Hojas de datos
Datasheet JX3S0750170M
PDF, 631 Kb, Idioma: en, Archivo subido: oct 7, 2026, Páginas: 8
1700V SiC N-Channel MOSFET in TO-247 package
1700V SiC N-Channel MOSFET in TO-247 package
Extracto del documento
Descripción detallada
Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio.
Además, su baja resistencia de encendido y su tamaño compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen una mayor eficiencia, una frecuencia de funcionamiento más alta, una mayor densidad de potencia, una menor interferencia electromagnética (EMI) y un tamaño de sistema reducido.
Clasificación del fabricante
- Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor