Datasheet JX Semiconductor JX3S0040R120MC — Ficha de datos
| Fabricante | JX Semiconductor |
| Serie | JX3S0040R120MC |
| Numero de parte | JX3S0040R120MC |
MOSFET de carburo de silicio de 1200 V y 40 ohmios en encapsulado TO-247-3L
Hojas de datos
Datasheet JX3S0020120M
PDF, 813 Kb, Idioma: en, Archivo subido: oct 11, 2026, Páginas: 10
1200V, 40 Ohm, Silicon Carbide MOSFET in TO-247-3L package
1200V, 40 Ohm, Silicon Carbide MOSFET in TO-247-3L package
Extracto del documento
Descripción detallada
El MOSFET de SiC de la serie JX-MT3 en encapsulado TO-247-3L garantiza un funcionamiento estable a altas temperaturas para sistemas de alta densidad de potencia y críticos en términos de energía, lo que permite diseños compactos con EMI reducida.
Clasificación del fabricante
- Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor