Datasheet JX3S0020120M (JX Semiconductor) - 3
| Fabricante | JX Semiconductor |
| Descripción | 1200V, 40 Ohm, Silicon Carbide MOSFET in TO-247-3L package |
| Páginas / Página | 10 / 3 — JX3S0040R120MC. 体二极管特性 Body Diode Characteristics (Tvj=25 unless … |
| Formato / tamaño de archivo | PDF / 813 Kb |
| Idioma del documento | Inglés |
JX3S0040R120MC. 体二极管特性 Body Diode Characteristics (Tvj=25 unless otherwise noted). 数值 Value. Parameter. Symbol. Condition. Unit. Min
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JX3S0040R120MC 体二极管特性 Body Diode Characteristics (Tvj=25 unless otherwise noted) 参数 符号 条件 数值 Value 单位 Parameter Symbol Condition Unit Min Typ. Max
二极管正向电压 Tvj=25℃ 5.1 Diode Forward Voltage VSD VGS=-5V, ISD=20A V Tvj=150℃ 4.7 二极管连续正向电流 Continuous Diode Forward Current IS VGS=-5V, TC=25˚C 58 A 二极管脉冲电流 Diode Pulse Current IS(pulse) VGS=-5V, Pulse width tp limited by Tjmax 180 A 反向恢复时间 Reverse Recovery Time t 52 rr ns VGS=-5V, ISD=40A 反向恢复电荷 TJ=25℃, Reverse Recovery Charge Qrr 380 nC VR=800V 反向恢复峰值电流 dif/dt=1210A/µs Peak Reverse Recovery Current Irrm 20 A
热特性 Thermal Characteristics 参数 符号 条件 数值 Value 单位 Parameter Symbol Condition Unit Min Typ. Max
结-壳热阻 Thermal Resistance: Junction to Case Rth(J-C) 0.35 0.47 ℃/W Document Outline 特点 Features
二极管正向电压 Tvj=25℃ 5.1 Diode Forward Voltage VSD VGS=-5V, ISD=20A V Tvj=150℃ 4.7 二极管连续正向电流 Continuous Diode Forward Current IS VGS=-5V, TC=25˚C 58 A 二极管脉冲电流 Diode Pulse Current IS(pulse) VGS=-5V, Pulse width tp limited by Tjmax 180 A 反向恢复时间 Reverse Recovery Time t 52 rr ns VGS=-5V, ISD=40A 反向恢复电荷 TJ=25℃, Reverse Recovery Charge Qrr 380 nC VR=800V 反向恢复峰值电流 dif/dt=1210A/µs Peak Reverse Recovery Current Irrm 20 A
热特性 Thermal Characteristics 参数 符号 条件 数值 Value 单位 Parameter Symbol Condition Unit Min Typ. Max
结-壳热阻 Thermal Resistance: Junction to Case Rth(J-C) 0.35 0.47 ℃/W Document Outline 特点 Features