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1. JX3S0040090M — Datasheet JX Semiconductor
   FET, MOSFET simples JX Semiconductor JX3S0040090M
   

   MOSFET de SiC de canal N de 900 V en encapsulado TO247-3 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
2. SiHFP450N — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay SiHFP450N
   

   MOSFET de potencia en encapsulado TO-247

3. IRFP450N — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay IRFP450N
   

   MOSFET de potencia en encapsulado TO-247
4. TIP36C — Datasheet STMicroelectronics
   Transistores bipolares Simple STMicroelectronics TIP36C
   

   Transistor de potencia PNP en encapsulado TO-247 Complementario a TIP35C
5. TIP35C — Datasheet STMicroelectronics
   Transistores bipolares Simple STMicroelectronics TIP35C
   

   Transistor de potencia NPN en encapsulado TO-247 Complementario a TIP36C
6. IIRFP260N — Datasheet Inchange Semiconductor
   FET, MOSFET simples Inchange Semiconductor IIRFP260N
   

   Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-247
7. IRFP260N — Datasheet Inchange Semiconductor
   FET, MOSFET simples Inchange Semiconductor IRFP260N
   

   Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-247
8. IRFP064PBF — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay IRFP064 IRFP064PBF
   

   MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia de encendido y rentabilidad. El ...
9. IXFH26N50 — Datasheet Inchange Semiconductor
   FET, MOSFET simples Inchange Semiconductor IXFH26N50
   

   Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-247 Características Corriente de drenaje: ID = 26 A a TC = 25 ℃ Voltaje de la fuente de drenaje: VDSS = 500 V (mín.) Resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) = 0,2 Ω ...
10. IRFP460PBF — Datasheet Vishay
    FET, MOSFET simples Vishay IRFP460 IRFP460PBF
    

    MOSFET de potencia en encapsulado TO-247 Características Clasificación dinámica dV/dt Clasificación de avalancha repetitiva Orificio de montaje central aislado
11. STW9NK9SZ — Datasheet STMicroelectronics
    FET, MOSFET simples STMicroelectronics STW9NK9SZ
    

    MOSFET de potencia SuperMESH de canal N, 900 V, 1,1 Ω, 8 A, encapsulados TO-220, TO-220FP, D2PAK y TO-247, con protección Zener.