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1. IRFP064PBF — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay IRFP064 IRFP064PBF
   

   MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia de encendido y rentabilidad. El ...
2. IXFH26N50 — Datasheet Inchange Semiconductor
   FET, MOSFET simples Inchange Semiconductor IXFH26N50
   

   Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-247 Características Corriente de drenaje: ID = 26 A a TC = 25 ℃ Voltaje de la fuente de drenaje: VDSS = 500 V (mín.) Resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) = 0,2 Ω ...

3. IRFP460PBF — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay IRFP460 IRFP460PBF
   

   MOSFET de potencia en encapsulado TO-247 Características Clasificación dinámica dV/dt Clasificación de avalancha repetitiva Orificio de montaje central aislado
4. STW9NK9SZ — Datasheet STMicroelectronics
   FET, MOSFET simples STMicroelectronics STW9NK9SZ
   

   MOSFET de potencia SuperMESH de canal N, 900 V, 1,1 Ω, 8 A, encapsulados TO-220, TO-220FP, D2PAK y TO-247, con protección Zener.