Datasheets - Transistores MOSFET Simple STMicroelectronics

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
Fabricante: "STMicroelectronics"
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  1. Canal N 75 V, 0,0095 ohmios típ., MOSFET de potencia STripFET II de 80 A en paquete TO-220 Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la ...
  2. Canal N 75 V, 0,0095 ohmios típ., MOSFET de potencia STripFET II de 80 A en paquete TO-220 Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la ...
  1. Canal N 75 V, 0,0095 ohmios típ., MOSFET de potencia STripFET II de 80 A en paquete TO-220 Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la ...
  2. Transistor de potencia SIPMOS
  3. MOSFET de potencia STripFET de canal N 50V -0.085Ω -17A TO-220
  4. Canal N 45 V, 1,4 mOhm típ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET en un paquete PowerFLAT 5x6 Todas las características Entre los R DS (activado) más bajos del mercado Excelente FoM (figura de mérito) Relación baja C rss / C iss para inmunidad EMI Gran ...
  5. MOSFET SuperMESH Power de 900 V, 1,1 ohmios típ. De canal N de 8 A en un paquete TO-220 Todas las características Capacidad dv / dt extremadamente alta Carga de puerta minimizada 100% probado contra avalanchas
  6. MOSFET SuperMESH Power de 8 A de 900 V, 1,1 ohmios típicos en un paquete TO-220FP Todas las características Capacidad dv / dt extremadamente alta Carga de puerta minimizada 100% probado contra avalanchas
  7. MOSFET de potencia SuperMESH de 900 V, 1,1 ohmios típ. De canal N de 8 A en un paquete D2PAK Todas las características Capacidad dv / dt extremadamente alta Carga de puerta minimizada 100% probado contra avalanchas
  8. MOSFET SuperMESH Power de 900 V, 1,1 ohmios típ. De canal N de 8 A en un paquete TO-247 Todas las características Capacidad dv / dt extremadamente alta Carga de puerta minimizada 100% probado contra avalanchas
  9. MOSFET PowerMESH Power MOSFET de canal N de 1500 V, 5 ohmios típ. En un paquete TO-220 Todas las características 100% probado contra avalanchas Conmutación de alta velocidad Capacidades intrínsecas y Qg minimizados La trayectoria de la distancia de ...
  10. MOSFET de potencia PowerMESH (TM) de 1500 V, 5 ohmios, 4 A, canal N en TO-3PF Todas las características 100% probado contra avalanchas Conmutación de alta velocidad Capacidades intrínsecas y Qg minimizados La trayectoria de la distancia de fuga es ...
  11. MOSFET de potencia PowerMESH (TM) de 1500 V, 5 ohmios, 4 A, canal N en TO-247 Todas las características 100% probado contra avalanchas Conmutación de alta velocidad Capacidades intrínsecas y Qg minimizados La trayectoria de la distancia de fuga es ...
  12. Canal N 60V - 0.020 Ohm - 28A - MOSFET DE POTENCIA DPAK StripFET (TM) II Todas las características TÍPICO R DS (encendido) = 0.020Ω 100% AVALANCHA PROBADO EXCEPCIONAL CAPACIDAD dv / dt PAQUETE DE ALIMENTACIÓN DPAK DE MONTAJE EN SUPERFICIE (TO-252) ...
  13. MOSFET de potencia STripFET de canal N 60V - 0.022Ω - 35A DPAK / IPAK
  14. Canal N 60 V, 0,022 ohmios típ., 35 A STripFET II Power MOSFET en un paquete DPAK Todas las características Unidad de umbral bajo Carga de puerta minimizada
  15. Canal N de grado automotriz 60 V, 22 mOhm típ., 35 A STripFET II Power MOSFET en un paquete DPAK Todas las características AEC-Q101 calificado Unidad de umbral bajo Carga de puerta minimizada
  16. CANAL P 30V - 0.025 Ohm - 24A STripFET II POWER MOSFET Este Power MOSFET es el último desarrollo del proceso único basado en tiras de “tamaño de función única” de STMicroelectronics. El transistor resultante muestra una densidad de empaquetamiento ...
  17. Canal N 600 V, 0.4 Ohm típ., 11 A MDmesh Power MOSFET en paquete D2PAK Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados utilizando la segunda generación de tecnología MDmesh. Estos revolucionarios MOSFET de potencia asocian una ...
  18. Canal N 600 V, 0.4 Ohm típ., 11 A MDmesh Power MOSFET en paquete TO-220 Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados utilizando la segunda generación de tecnología MDmesh. Estos revolucionarios MOSFET de potencia asocian una ...

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