Datasheets - Transistores bipolares Simple - 3

Subsección: "Transistores bipolares Simple"
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  1. NPN, 30 V, 9 A en encapsulado PowerDI3333-8/SWP
  2. NPN, 60 V, 6 A en encapsulado PowerDI3333-8/SWP
  1. Paquete NPN, 100 V, 4 A, PowerDI3333-8/SWP
  2. NPN, 30 V, 9 A en encapsulado PowerDI3333-8/SWP
  3. Datasheet ON Semiconductor TIP32CG
    Transistores de potencia de plástico de silicio complementarios PNP
  4. Datasheet ON Semiconductor TIP32BG
    Transistores de potencia de plástico de silicio complementarios PNP
  5. Datasheet ON Semiconductor TIP32AG
    Transistores de potencia de plástico de silicio complementarios PNP
  6. Datasheet ON Semiconductor TIP31CG
    Transistores de potencia de plástico de silicio complementarios NPN
  7. Datasheet ON Semiconductor TIP31BG
    Transistores de potencia de plástico de silicio complementarios NPN
  8. Datasheet ON Semiconductor TIP31AG
    Transistores de potencia de plástico de silicio complementarios NPN
  9. Transistor de montaje superficial de 20 V, 1 A, 2 W, señal pequeña ( =1 A), NPN, alta corriente en encapsulado SOT-223 Descontinuado / Obsoleto CBCP68 y CBCP69 son transistores de silicio complementarios fabricados mediante el proceso planar ...
  10. Transistor de montaje superficial de 20 V, 1 A, 2 W, señal pequeña ( =1 A), PNP, alta corriente en encapsulado SOT-223 Descontinuado / Obsoleto CBCP68 y CBCP69 son transistores de silicio complementarios fabricados mediante el proceso planar ...
  11. NPN doble, 40 V, 0,2 A, SOT363
  12. NPN doble, 40 V, 0,2 A, SOT363
  13. Datasheet Fairchild J202
    Amplificador de propósito general de canal N en encapsulado TO-92
  14. Datasheet Fairchild J201
    Amplificador de propósito general de canal N en encapsulado TO-92
  15. Datasheet Fairchild MMBFJ202
    Amplificador de propósito general de canal N en encapsulado SOT-23
  16. Datasheet Fairchild MMBFJ201
    Amplificador de propósito general de canal N en encapsulado SOT-23
  17. transistor de alto voltaje NPN Transistor NPN de alto voltaje en un pequeño paquete de plástico SOT23 de dispositivo montado en superficie (SMD).
  18. Datasheet STMicroelectronics BD912
    Transistores de potencia de silicio complementarios Los BD909 y BD911 son transistores de potencia NPN de base epitaxial de silicio, montados en un encapsulado plástico Jedec TO-220. Están diseñados para aplicaciones de potencia lineal y de ...