Transistores de potencia de silicio complementarios Los BD909 y BD911 son transistores de potencia NPN de base epitaxial de silicio, montados en un encapsulado plástico Jedec TO-220. Están diseñados para aplicaciones de potencia lineal y de ...
Transistores de potencia de silicio complementarios Los BD909 y BD911 son transistores de potencia NPN de base epitaxial de silicio, montados en un encapsulado plástico Jedec TO-220. Están diseñados para aplicaciones de potencia lineal y de ...
Transistores de potencia de silicio complementarios Los BD909 y BD911 son transistores de potencia NPN de base epitaxial de silicio, montados en un encapsulado plástico Jedec TO-220. Están diseñados para aplicaciones de potencia lineal y de ...
Transistores de potencia de silicio complementarios Los BD909 y BD911 son transistores de potencia NPN de base epitaxial de silicio, montados en un encapsulado plástico Jedec TO-220. Están diseñados para aplicaciones de potencia lineal y de ...
Reguladores de derivación de precisión ajustables Familia de reguladores shunt de tres terminales con un rango de tensión de salida entre V ref = 1,24 V y 14 V, a regular mediante dos resistencias externas.
Reguladores de derivación de precisión ajustables Familia de reguladores shunt de tres terminales con un rango de tensión de salida entre V ref = 1,24 V y 14 V, a regular mediante dos resistencias externas.
Reguladores de derivación de precisión ajustables Familia de reguladores shunt de tres terminales con un rango de tensión de salida entre V ref = 1,24 V y 14 V, a regular mediante dos resistencias externas.
Reguladores de derivación de precisión ajustables Familia de reguladores shunt de tres terminales con un rango de tensión de salida entre V ref = 1,24 V y 14 V, a regular mediante dos resistencias externas.