Datasheets - Transistores, arreglos y módulos

Subsección: "Transistores, arreglos y módulos"
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  1. MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ...
  2. MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ...
  1. MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ...
  2. MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ...
  3. Datasheet Vishay IRFZ24PbF-BE3
    MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
  4. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
  5. Datasheet Vishay IRFZ24PbF
    MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
  6. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  7. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  8. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  9. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  10. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  11. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  12. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  13. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  14. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  15. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  16. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  17. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  18. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...