Datasheets - Transistores, arreglos y módulos
Subsección: "Transistores, arreglos y módulos"
Resultados de la búsqueda: 29 Salida: 1-20
Ver: Lista / Imágenes
- FET, MOSFET simples Vishay IRFP22N60K IRFP22N60KPBF
Transistores, arreglos y módulos Vishay IRFP22N60K
MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Características La baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple Robustez mejorada frente a compuertas, avalanchas y dV/dt dinámico Capacitancia completamente ... - MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Características La baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple Robustez mejorada frente a compuertas, avalanchas y dV/dt dinámico Capacitancia completamente ...
- FET, MOSFET simples ON Semiconductor MTP33N10E
Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor MTP33N10EMOSFET de potencia de 33 amperios y 100 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ... - FET, MOSFET simples ON Semiconductor MTP20N20E
Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor MTP20N20EMOSFET de potencia de 20 amperios y 200 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ... - FET, MOSFET simples ON Semiconductor CPH3362
Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor CPH3362MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único - FET, MOSFET simples ON Semiconductor CPH3362 CPH3362-TL-W
Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor CPH3362MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único - Transistores HEXFET de canal N de 400 V La tecnología HEXFET es la clave de la avanzada línea de transistores MOSFET de potencia HiRel de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento único de este último diseño de última ...
- FET, MOSFET simples STMicroelectronics STF19NF20
Transistores, arreglos y módulos STMicroelectronics STF19NF20MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ... - FET, MOSFET simples STMicroelectronics STD19NF20
Transistores, arreglos y módulos STMicroelectronics STD19NF20MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ... - FET, MOSFET simples STMicroelectronics STB19NF20
Transistores, arreglos y módulos STMicroelectronics STB19NF20MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ... - FET, MOSFET simples STMicroelectronics STP19NF20
Transistores, arreglos y módulos STMicroelectronics STP19NF20MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ... 
MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
- FET, MOSFET simples Vishay SiHFR9310 SiHFR9310TRL-GE3
Transistores, arreglos y módulos Vishay SiHFR9310MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ... - FET, MOSFET simples Vishay SiHFR9310 SiHFR9310TR-GE3
Transistores, arreglos y módulos Vishay SiHFR9310MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ... - FET, MOSFET simples Vishay SiHFR9310 SiHFR9310TRR-GE3
Transistores, arreglos y módulos Vishay SiHFR9310MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...