JFET de canal P Los JFET InterFET J270 y J271 de -30 V están diseñados para amplificadores y conmutadores de alta ganancia y bajo ruido. El J270 tiene una tensión de corte inferior a 2,0 V, ideal para fuentes de alimentación de bajo nivel.
JFET de canal P Los JFET InterFET J270 y J271 de -30 V están diseñados para amplificadores y conmutadores de alta ganancia y bajo ruido. El J270 tiene una tensión de corte inferior a 2,0 V, ideal para fuentes de alimentación de bajo nivel.
JFET de canal P Los JFET InterFET J270 y J271 de -30 V están diseñados para amplificadores y conmutadores de alta ganancia y bajo ruido. El J270 tiene una tensión de corte inferior a 2,0 V, ideal para fuentes de alimentación de bajo nivel.
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JFETS de canal N de silicio Los dispositivos de la serie PN4391 de CENTRAL SEMICONDUCTOR son JFET de silicio de canal N diseñados para aplicaciones de conmutación y corte analógicos.
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JFET de canal N La serie 2N/SST5484 consta de JFET de canal n diseñados para proporcionar amplificación de alto rendimiento, especialmente en altas frecuencias de hasta 400 MHz y más.
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Amplificador JFET monolítico de canal P dual de baja capacitancia y bajo ruido El JFET dual monolítico, canal P y alto rendimiento LSJ689 presenta un ruido extremadamente bajo, un voltaje de compensación ajustado y una baja deriva sobre la ...