Datasheets - JFET - 5
Subsección: "JFET"
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- Propósito general AMP en estilo de caja TO-72
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El amplificador JFET de doble canal N está diseñado para proporcionar un equilibrio entre muy poco ruido (en = 1.8nV / √Hz) y muy baja capacitancia de entrada (Ciss = 4pF)- Transistores de efecto de campo de silicio de canal P FET simétricos de unión de canal p de silicio en una envoltura de plástico TO-92 y destinados a la aplicación con interruptores analógicos, choppers, conmutadores, etc.
- Transistores de efecto de campo de silicio de canal P FET simétricos de unión de canal p de silicio en una envoltura de plástico TO-92 y destinados a la aplicación con interruptores analógicos, choppers, conmutadores, etc.
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Amplificadores de RF de canal N caracteristicas: Este dispositivo está diseñado para amplificadores VHF / UHF Procedente del proceso 50- Amplificadores de RF de canal N caracteristicas: Este dispositivo está diseñado para amplificadores VHF / UHF Procedente del proceso 50
- Amplificadores de RF de canal N caracteristicas: Este dispositivo está diseñado para amplificadores VHF / UHF Procedente del proceso 50
- Amplificadores de RF de canal N caracteristicas: Este dispositivo está diseñado para amplificadores VHF / UHF Procedente del proceso 50
N-canal de unión FET- N-canal de unión FET
- N-canal de unión FET
- Transistor de efecto de campo de unión de silicio dual de canal N
- Transistor de efecto de campo de unión de silicio dual de canal N
- Transistor JFET de canal N de 25 V
- Transistor JFET de canal N de 25 V