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100 V, 231 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor
Diode for 1mW Class Rectifier in DFN1212-4-HD package The NT9003HDAE4S is a 1 mW-class rectifier diode optimized for rectifier circuits in microwave WPT operating in the 920 MHz, 2.4 GHz, and 5.7 GHz bands. This diode features low forward voltage ...
- Diode for 1mW Class Rectifier in DFN1212-4-HD package The NT9002HDAE4S is a 1 mW-class rectifier diode optimized for rectifier circuits in microwave WPT operating in the 920 MHz, 2.4 GHz, and 5.7 GHz bands. This diode features low forward voltage ...
- Diode for 1W Class Rectifier in DFN1212-4-HD package The NT9001HDAE4S is a 1 W-class rectifier diode optimized for rectifier circuits in microwave WPT operating in the 920 MHz, 2.4 GHz, and 5.7 GHz bands. This diode features low forward voltage and ...
- Diode for 1W Class Rectifier in DFN1212-4-HD package The NT9000HDAE4S is a 1 W-class rectifier diode optimized for rectifier circuits in microwave WPT operating in the 920 MHz, 2.4 GHz, and 5.7 GHz bands. This diode features low forward voltage and ...
Controlador reductor síncrono dual de dos fases y bajo I Q para transistores GaN FET en encapsulado QFN de 40 pines (6 mm x 6 mm, lado plástico humectable). El LTC7890 es un controlador regulador de conmutación CC-CC de doble reductor de alto ...
Controlador elevador síncrono de 100 V con baja corriente de cortocircuito (I Q) para transistores FET de GaN en encapsulado QFN de 28 pines (4 mm x 5 mm, lado plástico humectable). El LTC7893 es un controlador regulador de conmutación CC-CC ...- Controlador elevador síncrono de doble fase y bajo I Q para FET de GaN en encapsulado QFN de 40 pines (6 mm x 6 mm, lado plástico humectable). El LTC7892 es un controlador regulador de conmutación CC-CC de doble refuerzo de alto rendimiento que ...
- Controlador reductor síncrono de 100 V, bajo I Q , para FET de GaN en encapsulado QFN de 28 pines (4 mm x 5 mm, lado plástico humectable). El LTC7891 es un controlador regulador de conmutación CC-CC reductor de alto rendimiento que controla todas ...
MOSFET de pequeña señal de canal N de 30 V en encapsulado SOT-23
Termistores NTC para medición de temperatura en formato de disco, encapsulado de 4,5 mm de diámetro x 4,5 mm de ancho. Termistores NTC con terminales, separación entre terminales de 2,5 mm.
SCR de montaje pasante de 7,4 A y 400 V en encapsulado TO-64- SCR de montaje pasante de 7,4 A y 300 V en encapsulado TO-64
- SCR de montaje pasante de 7,4 A y 200 V en encapsulado TO-64
- SCR de 7,4 A, 100 V de montaje pasante en encapsulado TO-64
Rectificador controlado de silicio 13A en encapsulado TO-48 ISO Disponible como dispositivo de alta fiabilidad según MIL-PRF-19500. Indique el sufijo -HR después del número de pieza. Contacto para flujo -HR. Añada el sufijo PBF para acabado de ...- Rectificador controlado de silicio 13A en encapsulado TO-48 ISO Disponible como dispositivo de alta fiabilidad según MIL-PRF-19500. Indique el sufijo -HR después del número de pieza. Contacto para flujo -HR. Añada el sufijo PBF para acabado de ...
- Rectificador controlado de silicio 13A en encapsulado TO-48 ISO Disponible como dispositivo de alta fiabilidad según MIL-PRF-19500. Indique el sufijo -HR después del número de pieza. Contacto para flujo -HR. Añada el sufijo PBF para acabado de ...
- Rectificador controlado de silicio 13A en encapsulado TO-48 ISO Disponible como dispositivo de alta fiabilidad según MIL-PRF-19500. Indique el sufijo -HR después del número de pieza. Contacto para flujo -HR. Añada el sufijo PBF para acabado de ...
Transistor Darlington bipolar NPN de alto voltaje en encapsulado TO-92 Este transistor Darlington bipolar NPN está diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación, como interruptores de percusión, relés, solenoides y controladores de lámparas. ...