Datasheet NV6257 (Navitas Semiconductor) - 3
| Fabricante | Navitas Semiconductor |
| Descripción | 650V Half-Bridge GaNFast Power IC |
| Páginas / Página | 20 / 3 — NV6257. ESD Ratings. SYMBOL. PARAMETER. MAX. UNITS. Thermal Resistance. … |
| Formato / tamaño de archivo | PDF / 734 Kb |
| Idioma del documento | Inglés |
NV6257. ESD Ratings. SYMBOL. PARAMETER. MAX. UNITS. Thermal Resistance. TYP
Línea de modelo para esta hoja de datos
Versión de texto del documento
TARGET
NV6257 ESD Ratings SYMBOL PARAMETER MAX UNITS
HBM Human Body Model (per JESD22-A114) 1000 V CDM Charged Device Model (per JESD22-C101F) 500 V
Thermal Resistance SYMBOL PARAMETER TYP UNITS
R (2) Junction-to-Case 1.8 ºC/W ɵJC R (2) Junction-to-Ambient 40 ºC/W ɵJA (2) Rɵ measured on DUT mounted on 1 square inch 2oz Cu (FR4 PCB) Revised 8-1-18 Navitas Semiconductor Confidential Page 3
NV6257 ESD Ratings SYMBOL PARAMETER MAX UNITS
HBM Human Body Model (per JESD22-A114) 1000 V CDM Charged Device Model (per JESD22-C101F) 500 V
Thermal Resistance SYMBOL PARAMETER TYP UNITS
R (2) Junction-to-Case 1.8 ºC/W ɵJC R (2) Junction-to-Ambient 40 ºC/W ɵJA (2) Rɵ measured on DUT mounted on 1 square inch 2oz Cu (FR4 PCB) Revised 8-1-18 Navitas Semiconductor Confidential Page 3