Datasheet JX3S0020120M (JX Semiconductor) - 9
| Fabricante | JX Semiconductor |
| Descripción | 1200V, 40 Ohm, Silicon Carbide MOSFET in TO-247-3L package |
| Páginas / Página | 10 / 9 — JX3S0040R120MC. 开关能量. Switching Energy. Switching Loss=f(RG(ext)), TJ=25 … |
| Formato / tamaño de archivo | PDF / 813 Kb |
| Idioma del documento | Inglés |
JX3S0040R120MC. 开关能量. Switching Energy. Switching Loss=f(RG(ext)), TJ=25 , VDD=800V, IDS=40A,
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JX3S0040R120MC 开关能量 开关能量 Switching Energy Switching Energy Switching Loss=f(RG(ext)), TJ=25 , VDD=800V, IDS=40A, Switching Loss=f(TJ), VDD=800V, IDS=40A, RG(ext)=2.5Ω, VGS=-5V/+18V, L=150uH VGS=-5V/+18V, L=150uH 开关时间 单次雪崩安全工作区 Switching Times Single Avalanche Safe Operating Area Switching Times=f(RG(ext)), TJ=25 , VDD=800V, IDS=40A, Avalanche Current=f(tAV), TJ=25 , VDD=50V VGS=-5V/+18V, L=150uH
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