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- MOSFET de modo de enriquecimiento de canal P de 30 V en encapsulado SOT23
- MOSFET de canal P único de PowerTrench en encapsulado SOT-23 Este MOSFET de nivel lógico de canal P se fabrica mediante un proceso Power Trench avanzado, especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activo y, al mismo tiempo, ...
- MOSFET de pequeña señal de canal N de 30 V en encapsulado SOT-23
- Conmutador de canal N en encapsulado SOT-23 Este dispositivo está diseñado para conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados por chopper.
- Conmutador de canal N en encapsulado SOT-23 Este dispositivo está diseñado para conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados por chopper.
- Conmutador de canal N en encapsulado SOT-23 Este dispositivo está diseñado para conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados por chopper.
- DIAC La serie DB3/DB4 funciona como un diodo disparador con una referencia de voltaje fija y se puede utilizar junto con triacs para circuitos de control de compuerta simplificados o como elemento de arranque en balastos de lámparas fluorescentes. ...
- Diodo Zener de montaje superficial de 15 V y 350 mW en encapsulado SOT-23
- MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- Amplificador de propósito general de canal N en encapsulado SOT-23
- Amplificador de propósito general de canal N en encapsulado SOT-23
- Transistor NPN en encapsulado SOT-23 Complementario a 2SA1252
- Paquete de plástico de 3 pines
- Referencia de voltaje de derivación de micropower de precisión 3-SOT-23