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1. PMV30UN,215 — Datasheet Nexperia
   FET, MOSFET simples Nexperia PMV30UN PMV30UN,215
   

   Transistor FET TrenchMOS de canal N de nivel ultrabajo en encapsulado SOT23 Transistor de efecto de campo (FET) de canal N de nivel ultrabajo y modo de enriquecimiento en encapsulado plástico, que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto está ...
2. PMV30UN — Datasheet Nexperia
   FET, MOSFET simples Nexperia PMV30UN
   

   Transistor FET TrenchMOS de canal N de nivel ultrabajo en encapsulado SOT23 Transistor de efecto de campo (FET) de canal N de nivel ultrabajo y modo de enriquecimiento en encapsulado plástico, que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto está ...

3. Si2333DS-T1-GE3 — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay Si2333DS Si2333DS-T1-GE3
   

   MOSFET de canal P de 12 V (DS) en encapsulado SOT-23 (TO-236)
4. SI2333DS-T1-BE3 — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay Si2333DS SI2333DS-T1-BE3
   

   MOSFET de canal P de 12 V (DS) en encapsulado SOT-23 (TO-236)
5. Si2333DS-T1-E3 — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay Si2333DS Si2333DS-T1-E3
   

   MOSFET de canal P de 12 V (DS) en encapsulado SOT-23 (TO-236)
6. SI2310A — Datasheet Youtai
   FET, MOSFET simples Youtai SI2310A
   

   MOSFET de canal N de 60 V en encapsulado SOT-23
7. ZXM61P03FTA — Datasheet Diodes
   FET, MOSFET simples Diodes ZXM61P03F ZXM61P03FTA
   

   MOSFET de modo de enriquecimiento de canal P de 30 V en encapsulado SOT23
8. ZXM61P03FTC — Datasheet Diodes
   FET, MOSFET simples Diodes ZXM61P03F ZXM61P03FTC
   

   MOSFET de modo de enriquecimiento de canal P de 30 V en encapsulado SOT23
9. FDN360P — Datasheet ON Semiconductor
   FET, MOSFET simples ON Semiconductor FDN360P
   

   MOSFET de canal P único de PowerTrench en encapsulado SOT-23 Este MOSFET de nivel lógico de canal P se fabrica mediante un proceso Power Trench avanzado, especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activo y, al mismo tiempo, ...
10. FDN360P-NBGT003B — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor FDN360P FDN360P-NBGT003B
    

    MOSFET de canal P único de PowerTrench en encapsulado SOT-23 Este MOSFET de nivel lógico de canal P se fabrica mediante un proceso Power Trench avanzado, especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activo y, al mismo tiempo, ...
11. BSS316NH6327XTSA1 — Datasheet Infineon
    FET, MOSFET simples Infineon BSS316N BSS316NH6327XTSA1
    

    MOSFET de pequeña señal de canal N de 30 V en encapsulado SOT-23
12. MMBFJ113 — Datasheet ON Semiconductor
    JFET ON Semiconductor MMBFJ113
    

    Conmutador de canal N en encapsulado SOT-23 Este dispositivo está diseñado para conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados por chopper.
13. MMBFJ112 — Datasheet ON Semiconductor
    JFET ON Semiconductor MMBFJ112
    

    Conmutador de canal N en encapsulado SOT-23 Este dispositivo está diseñado para conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados por chopper.
14. MMBFJ111 — Datasheet ON Semiconductor
    JFET ON Semiconductor MMBFJ111
    

    Conmutador de canal N en encapsulado SOT-23 Este dispositivo está diseñado para conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados por chopper.
15. SMDB3 — Datasheet STMicroelectronics
    DIACs, SIDACs STMicroelectronics SMDB3
    

    DIAC La serie DB3/DB4 funciona como un diodo disparador con una referencia de voltaje fija y se puede utilizar junto con triacs para circuitos de control de compuerta simplificados o como elemento de arranque en balastos de lámparas fluorescentes. ...
16. CMPZ5245B TR PBFREE — Datasheet Central Semiconductor
    Diodos - Zener Simple Central Semiconductor CMPZ5245B CMPZ5245B TR PBFREE
    

    Diodo Zener de montaje superficial de 15 V y 350 mW en encapsulado SOT-23
17. CMPZ5245B BK PBFREE — Datasheet Central Semiconductor
    Diodos - Zener Simple Central Semiconductor CMPZ5245B CMPZ5245B BK PBFREE
    

    Diodo Zener de montaje superficial de 15 V y 350 mW en encapsulado SOT-23
18. CMPZ5245B BK — Datasheet Central Semiconductor
    Diodos - Zener Simple Central Semiconductor CMPZ5245B CMPZ5245B BK
    

    Diodo Zener de montaje superficial de 15 V y 350 mW en encapsulado SOT-23
19. CMPZ5245B TR — Datasheet Central Semiconductor
    Diodos - Zener Simple Central Semiconductor CMPZ5245B CMPZ5245B TR
    

    Diodo Zener de montaje superficial de 15 V y 350 mW en encapsulado SOT-23
20. PMV65XP — Datasheet NXP
    FET, MOSFET simples NXP PMV65XP
    

    MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.