Datasheets - Transistores bipolares Simple - 7
Subsección: "Transistores bipolares Simple"
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- Transistor de potencia bipolar Darlington de 10 A, 60 V PNP El transistor de potencia bipolar Darlington PNP de 8 A y 60 V está diseñado para amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad.
- NPN, TO-263AB, 80V 5A, Transistor de potencia 2SCR586J es un transistor de potencia con bajo VCE (sat), adecuado para amplificadores de baja frecuencia.
- Transistores planos epitaxiales de silicio NPN
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- PNP, 12 V, 2,5 A, SOT23
- Pareja de superpartidos El LM194 y el LM394 son pares de transistores NPN monolíticos ultra bien emparejados con unión aislada con una mejora de un orden de magnitud en la coincidencia con respecto a los pares de transistores convencionales. Esto ...
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- Transistor bipolar PNP de alta corriente Este transistor bipolar PNP está diseñado para su uso en aplicaciones industriales y de consumo. El dispositivo está alojado en el paquete TO-92, que está diseñado para aplicaciones de potencia media.
- isc Silicon NPN Darlingtion Transistor de potencia Diseñado para amplificadores de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia, como equipos industriales lineales y de conmutación.
- Transistor de potencia bipolar PNP de 5,0 A, 25 V El transistor de potencia bipolar está diseñado para aplicaciones de amplificador de audio de baja tensión, baja potencia y alta ganancia. El MJE200 (NPN) y el MJE210 (PNP) son dispositivos ...
- Transistores de silicio PNP Estos transistores planos epitaxiales están montados en el paquete de plástico SOT-32. Están diseñados para amplificadores de audio y controladores que utilizan circuitos complementarios o casi complementarios. Los tipos ...
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Transistor doble equipado con resistencia NPN/PNP de 50 V, 100 mA; R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ Transistor equipado con resistencia doble (RET) NPN/PNP en un paquete de plástico muy pequeño SOT363 (SC-88) de dispositivo montado en superficie (SMD).- Transistor doble equipado con resistencia NPN/PNP de 50 V, 100 mA; R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ Transistor equipado con resistencia doble (RET) NPN/PNP en un paquete de plástico muy pequeño SOT363 (SC-88) de dispositivo montado en superficie (SMD).
- Transistor de alta ganancia de potencia media PNP de 15 V en SOT223
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