Datasheets - Arreglos y módulos MOSFET

Subsección: "Arreglos y módulos MOSFET"
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  1. Módulos SiC, Half Bridge 2-PACK 1200 V, 6 mohm SiC MOSFET, Paquete F2 El NXH006P120MNF2 es un módulo SiC de medio puente o 2-PACK con 2 interruptores MOSFET SiC de 6mohm 1200V y un termistor en un paquete F2. Los interruptores SiC MOSFET utilizan ...
  2. Módulo de SiC, Topología de medio puente de 2 paquetes, 1200 V, MOSFET de SiC de 10 mohm El NXH010P120MNF1 es un módulo SiC MOSFET que contiene un medio puente SiC MOSFET de 10 mohm y un termistor NTC en el módulo am F1.
  3. Módulo de SiC, Topología de medio puente de 2 paquetes, 1200 V, MOSFET de SiC de 10 mohm El NXH010P120MNF1 es un módulo SiC MOSFET que contiene un medio puente SiC MOSFET de 10 mohm y un termistor NTC en el módulo am F1.
  4. MOSFET de potencia del modo de mejora de doble canal N Los MOSFET de potencia avanzada utilizaron técnicas de procesamiento avanzadas para lograr un dispositivo de baja resistencia, extremadamente eficiente y rentable, más adecuado para el ...
  1. TC8220 consta de dos pares de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete DFN de 12 derivaciones
  2. TC8220 consta de dos pares de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete DFN de 12 derivaciones
  3. TC8020 consta de seis pares de MOSFET de canal N y P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete QFN de 56 derivaciones
  4. TC8020 consta de seis pares de MOSFET de canal N y P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete QFN de 56 derivaciones
  5. TC8020 consta de seis pares de MOSFET de canal N y P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete QFN de 56 derivaciones
  6. TC7920 consta de dos pares de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete DFN de 12 derivaciones
  7. TC7920 consta de dos pares de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete DFN de 12 derivaciones
  8. El TC6321 se deriva del TC6320, con sus MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral, pero se ofrece en un DFN de 5 mm x 6 mm mejorado térmicamente, con mejor transferencia térmica y mayor rango de operación, a 175 ° C
  9. El TC6321 se deriva del TC6320, con sus MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral, pero se ofrece en un DFN de 5 mm x 6 mm mejorado térmicamente, con mejor transferencia térmica y mayor rango de operación, a 175 ° C
  10. TC6320 consta de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en paquetes SOIC y DFN de 8 derivaciones
  11. TC6320 consta de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en paquetes SOIC y DFN de 8 derivaciones
  12. TC6320 consta de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en paquetes SOIC y DFN de 8 derivaciones
  13. TC6215 consta de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete SOIC (TG) de 8 derivaciones
  14. TC6215 consta de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete SOIC (TG) de 8 derivaciones
  15. TC2320 consta de un MOSFET de canal N y P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete SOIC de 8 derivaciones
  16. TC2320 consta de un MOSFET de canal N y P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete SOIC de 8 derivaciones