Datasheets - Arreglos y módulos MOSFET

Subsección: "Arreglos y módulos MOSFET"
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  1. TC8220 consta de dos pares de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete DFN de 12 derivaciones
  2. TC8220 consta de dos pares de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete DFN de 12 derivaciones
  3. TC8020 consta de seis pares de MOSFET de canal N y P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete QFN de 56 derivaciones
  4. TC8020 consta de seis pares de MOSFET de canal N y P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete QFN de 56 derivaciones
  1. TC8020 consta de seis pares de MOSFET de canal N y P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete QFN de 56 derivaciones
  2. TC7920 consta de dos pares de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete DFN de 12 derivaciones
  3. TC7920 consta de dos pares de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete DFN de 12 derivaciones
  4. El TC6321 se deriva del TC6320, con sus MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral, pero se ofrece en un DFN de 5 mm x 6 mm mejorado térmicamente, con mejor transferencia térmica y mayor rango de operación, a 175 ° C
  5. El TC6321 se deriva del TC6320, con sus MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral, pero se ofrece en un DFN de 5 mm x 6 mm mejorado térmicamente, con mejor transferencia térmica y mayor rango de operación, a 175 ° C
  6. TC6320 consta de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en paquetes SOIC y DFN de 8 derivaciones
  7. TC6320 consta de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en paquetes SOIC y DFN de 8 derivaciones
  8. TC6320 consta de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en paquetes SOIC y DFN de 8 derivaciones
  9. TC6215 consta de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete SOIC (TG) de 8 derivaciones
  10. TC6215 consta de MOSFET de canal N y canal P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete SOIC (TG) de 8 derivaciones
  11. TC2320 consta de un MOSFET de canal N y P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete SOIC de 8 derivaciones
  12. TC2320 consta de un MOSFET de canal N y P de alto voltaje y bajo umbral en un paquete SOIC de 8 derivaciones
  13. TC1550 consta de un MOSFET de canal N y canal de alto voltaje en un paquete SOIC de 8 derivaciones
  14. TC1550 consta de un MOSFET de canal N y canal de alto voltaje en un paquete SOIC de 8 derivaciones
  15. Matriz de transistores DMOS
  16. Matriz de transistores DMOS