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- MOSFET de potencia -30V -50A 25 mOhm Nivel lógico TO-220 de canal P único Este Power MOSFET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño energéticamente eficiente también ofrece un diodo de drenaje a ...
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- HEXFET Power MOSFET
- Referencia de voltaje de corriente de rodilla baja de 2,5 V Descripción El ZRC250 utiliza un diseño de circuito de banda prohibida para lograr una referencia de voltaje de micropotencia de precisión de 2,5 voltios. El dispositivo está disponible en ...
Referencia de voltaje de corriente de rodilla baja de 2,5 V Descripción El ZRC250 utiliza un diseño de circuito de banda prohibida para lograr una referencia de voltaje de micropotencia de precisión de 2,5 voltios. El dispositivo está disponible en ...- Referencia de voltaje de corriente de rodilla baja de 2,5 V Descripción El ZRC250 utiliza un diseño de circuito de banda prohibida para lograr una referencia de voltaje de micropotencia de precisión de 2,5 voltios. El dispositivo está disponible en ...
- Referencia de voltaje de corriente de rodilla baja de 2,5 V Descripción El ZRC250 utiliza un diseño de circuito de banda prohibida para lograr una referencia de voltaje de micropotencia de precisión de 2,5 voltios. El dispositivo está disponible en ...
- MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
- MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
- MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
- MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
- MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
- MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
- MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
- MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
- MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
- MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
- MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
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