Datasheets - FET, MOSFET simples NXP
Subsección: "FET, MOSFET simples"
Fabricante: "NXP"
Fabricantes
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon WolfspeedSerie
BF909 BF909R BF998 BF998R BSP122 IRF530N MRF8P29300H MRF8P29300HS PHK12NQ03LT PHP79NQ08LT PMN50XP PMV65XP PSMN0R9-25YLCResultados de la búsqueda: 629 Salida: 1-20
Ver: Lista / Imágenes
MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.- MOSFET de potencia RF de banda ancha de canal N lateral, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V
- MOSFET de potencia RF de banda ancha de canal N lateral, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V
MOSFET de doble puerta de canal N Ya no se fabrica NXP ya no acepta pedidos de la pieza y ya no la fabricará.
MOSFET de doble puerta de canal N Ya no se fabrica NXP ya no acepta pedidos de la pieza y ya no la fabricará. Repuesto (s): BF1211.
TrenchMOS de canal P FET de nivel extremadamente bajo
MOSFET de nivel lógico de canal N de 25 V 0.99 mΩ en LFPAK con tecnología NextPower
N-canal TrenchMOS nivel lógico FET
N-canal vertical nivel lógico D-MOS FET- N-canal TrenchMOS nivel lógico FET
- MOSFET de doble puerta de canal N de silicio
- MOSFET de doble puerta de canal N de silicio
Transistor TrenchMOSTM de canal N
Part Number: PSMN8R5-100PS Manufacturer: NXP Description: MOSFET, N-CH, 100 V, 100 A, TO-220AB Download Data Sheet Docket: PSMN8R5-100PS 29 November 2012 N-channel 100 V 8.5 m standard level MOSFET in TO220 Product data sheet 1. Product profile ...
Part Number: PSMN7R6-100BSE Manufacturer: NXP Description: MOSFET, N-CH, 100 V, 75 A, D2PAK Download Data Sheet Docket: PSMN7R6-100BSE 18 December 2012 N-channel 100 V 7.6 m standard level MOSFET in D2PAK Product data sheet 1. General description ...- Part Number: PSMN4R8-100BSE Manufacturer: NXP Description: MOSFET, N-CH, 100 V, 120 A, D2PAK Download Data Sheet Docket: PSMN4R8-100BSE 4 October 2012 N-channel 100 V 4.8 m standard level MOSFET in D2PAK Objective data sheet 1. Product profile ...
Part Number: PSMN3R4-30BLE Manufacturer: NXP Description: MOSFET, N-CH, 30 V, 120 A, D2PAK Download Data Sheet Docket: PSMN3R4-30BLE 12 October 2012 N-channel 30 V 3.4 m logic level MOSFET in D2PAK Product data sheet 1. Product profile ...
Part Number: PSMN2R0-30YLE Manufacturer: NXP Description: MOSFET, N-CH, 30 V, 100 A, LFPAK Download Data Sheet Docket: PSMN2R0-30YLE 12 October 2012 N-channel 30 V 2 m logic level MOSFET in LFPAK Product data sheet 1. Product profile ...- Part Number: PSMN1R5-30BLE Manufacturer: NXP Description: MOSFET, N-CH, 30 V, 120 A, D2PAK Download Data Sheet Docket: PSMN1R5-30BLE 12 October 2012 N-channel 30 V 1.5 m logic level MOSFET in D2PAK Product data sheet 1. Product profile ...
Part Number: PSMN020-30MLC Manufacturer: NXP Description: MOSFET, N-CH, 30 V, 31.8 A, LFPAK33 Download Data Sheet Docket: PSMN020-30MLC 4 September 2012 N-channel 30 V 18.1 m logic level MOSFET in LFPAK33 using TrenchMOS Technology Product data ...
Ordenar por: relevancia / fecha