Datasheets - FET, MOSFET simples Nexperia
Subsección: "FET, MOSFET simples"
Fabricante: "Nexperia"
Fabricantes
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Transistor FET TrenchMOS de canal N de nivel ultrabajo en encapsulado SOT23 Transistor de efecto de campo (FET) de canal N de nivel ultrabajo y modo de enriquecimiento en encapsulado plástico, que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto está ...
MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal N de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal N de 40 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal P de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal P de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
MOSFET de nivel lógico de canal N de 30 V y 8 mΩ en LFPAK Transistor de efecto de campo (FET) de nivel lógico con canal N en modo de mejora en encapsulado plástico con tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y homologado para su uso en ...- N-canal TrenchMOS nivel lógico FET Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal N de nivel lógico en un paquete de plástico que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y calificado para su uso únicamente en ...
MOSFET de trinchera de canal P de 20 V, 1 A Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal P en un paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) pequeño SOT323 (SC-70) que utiliza tecnología MOSFET de trinchera.
MOSFET de nivel estándar de 40 V, 0,55 mOhm, 500 A continuos de canal N en LFPAK88 con tecnología NextPowerS3 500 Amp de corriente continua, controlador de puerta de nivel estándar, MOSFET de modo de mejora de canal N en paquete LFPAK88. La familia ...- MOSFET de nivel estándar de canal N de 40 V, 0,5 mOhm en LFPAK88 MOSFET de canal N calificado para automoción que utiliza la última tecnología de superjunción de baja resistencia óhmica Trench 9, alojado en un paquete LFPAK88 con clip de cobre. ...
TrenchMOS de canal P FET de nivel extremadamente bajo- MOSFET de nivel lógico de 40 V y 13 mOhm de canal N doble en LFPAK56D (configuración de medio puente) MOSFET dual de canal N de nivel lógico en un paquete LFPAK56D (configuración de medio puente), que utiliza la tecnología Trench 9 TrenchMOS. Este ...
MOSFET de nivel estándar de 40 V y 4,2 mOhm de canal N doble en LFPAK56D (configuración de medio puente) MOSFET dual de canal N de nivel estándar en un paquete LFPAK56D (configuración de medio puente), que utiliza la tecnología Trench 9 TrenchMOS. ...- MOSFET de zanja de canal N de 30 V
- N-canal TrenchMOS nivel lógico FET
N-canal vertical nivel lógico D-MOS FET- 650 V, 50 mΩ Nitruro de galio (GaN) FET El GAN063-650WSA es un FET de nitruro de galio (GaN) de 650 V, 50 mΩ. Es un dispositivo normalmente apagado que combina las tecnologías de vanguardia GaN HEMT de alto voltaje de Nexperia y las tecnologías ...
- MOSFET de canal N de nivel lógico calificado para automoción en un paquete LFPAK33 utilizando la tecnología Trench 9 TrenchMOS. Este producto ha sido diseñado y calificado para AEC-Q101 para su uso en aplicaciones automotrices de alto rendimiento.
- MOSFET de canal N de nivel estándar calificado para automoción en un paquete LFPAK33 utilizando la tecnología Trench 9 TrenchMOS. Este producto ha sido diseñado y calificado para AEC-Q101 para su uso en aplicaciones automotrices de alto rendimiento.
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