Datasheets - FET, MOSFET simples ON Semiconductor - 2

Subsección: "FET, MOSFET simples"
Fabricante: "ON Semiconductor"
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  1. Potencia MOSFET -500V -2A 6 Ohmios de un solo canal P TO-220 Este MOSFET de alto voltaje utiliza un esquema de terminación avanzado para proporcionar una capacidad mejorada de bloqueo de voltaje sin degradar el rendimiento con el tiempo. Además, ...
  2. PowerTrench de doble canal P MOSFET, 1.8V especificado, -20V, -2.3A, 115mΩ
  1. MOSFET PowerTrench de doble canal N de 2,5 V especificado 20 V, 7,5 A, 18 mΩ
  2. PowerTrench especificado de 1.8V para canal P MOSFET -20 V, -2,4 A, 52 mΩ
  3. MOSFET de señal pequeña complementario con protección ESD 20V
  4. Canal P 2.5V especificado PowerTrench MOSFET -20V, -10A, 13mΩ
  5. Canal T PowerTrench MOSFET, -40V, -50A, 12.3mΩ Este MOSFET de canal P se ha producido utilizando una tecnología patentada PowerTrench para ofrecer una baja DSR (encendido) y una capacidad Bvdss optimizada para ofrecer un beneficio de rendimiento ...
  6. PowerTrench de nivel lógico de un solo canal P MOSFET -20V, -1.3A, 200mΩ
  7. Canal N 2.5V especificado MOSFET PowerTrench ™ 20V, 1.7A, 70mΩ
  8. Potencia MOSFET 60 V, 20 A, Nivel lógico, Canal P DPAK
  9. Transistor de efecto de campo del modo de mejora del canal P -60V, -0.12A, 10Ω
  10. Nivel lógico de canal N MOSFET de potencia 100V, 12A, 200mΩ
  11. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N, 50 V, 220 mA
  12. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N 60V, 0.28A, 5Ω
  13. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N 60V, 0.115A, 7.5Ω
  14. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N 60V, 200mA, 5 Ω
  15. Potencia MOSFET, canal P, QFET ® , -60 V, -27 A, 70 mΩ, TO-220
  16. N-Channel PowerTrench ® MOSFET 60V, 158A, 2.5mΩ
  17. MOSFET de zanja de potencia de canal N 30V, 27A, 9.0mΩ
  18. FET digital, canal P

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