Datasheets - FET, MOSFET simples ON Semiconductor - 2

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21. NTH4L015N065SC1 — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor NTH4L015N065SC1
    MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,6 mΩ, TO247−4L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
22. NVH4L015N065SC1 — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor NVH4L015N065SC1
    MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 12 mΩ, TO247−4L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...

23. NTBG015N065SC1 — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor NTBG015N065SC1
    MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,3 mΩ, D2PAK − 7L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
24. NVBG015N065SC1 — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor NVBG015N065SC1
    MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 12 mΩ, D2PAK − 7L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
25. MTP2P50E — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor MTP2P50E
    Potencia MOSFET -500V -2A 6 Ohmios de un solo canal P TO-220 Este MOSFET de alto voltaje utiliza un esquema de terminación avanzado para proporcionar una capacidad mejorada de bloqueo de voltaje sin degradar el rendimiento con el tiempo. Además, ...
26. FDC6312P — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor FDC6312P
    PowerTrench de doble canal P MOSFET, 1.8V especificado, -20V, -2.3A, 115mΩ
27. FDS6890A — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor FDS6890A
    MOSFET PowerTrench de doble canal N de 2,5 V especificado 20 V, 7,5 A, 18 mΩ
28. FDN304P — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor FDN304P
    PowerTrench especificado de 1.8V para canal P MOSFET -20 V, -2,4 A, 52 mΩ
29. NTZD3155CT1G — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor NTZD3155C NTZD3155CT1G
    MOSFET de señal pequeña complementario con protección ESD 20V
30. FDS6575 — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor FDS6575
    Canal P 2.5V especificado PowerTrench MOSFET -20V, -10A, 13mΩ
31. FDD4141 — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor FDD4141
    Canal T PowerTrench MOSFET, -40V, -50A, 12.3mΩ Este MOSFET de canal P se ha producido utilizando una tecnología patentada PowerTrench para ofrecer una baja DSR (encendido) y una capacidad Bvdss optimizada para ofrecer un beneficio de rendimiento ...
32. FDN336P — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor FDN336P
    PowerTrench de nivel lógico de un solo canal P MOSFET -20V, -1.3A, 200mΩ
33. FDN335N — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor FDN335N
    Canal N 2.5V especificado MOSFET PowerTrench ™ 20V, 1.7A, 70mΩ
34. MTD20P06HDL — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor MTD20P06HDL
    Potencia MOSFET 60 V, 20 A, Nivel lógico, Canal P DPAK
35. NDS0610 — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor NDS0610
    Transistor de efecto de campo del modo de mejora del canal P -60V, -0.12A, 10Ω
36. RFP12N10L — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor RFP12N10L
    Nivel lógico de canal N MOSFET de potencia 100V, 12A, 200mΩ
37. BSS138 — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor BSS138
    Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N, 50 V, 220 mA
38. NDS7002A-F169 — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor NDS7002A NDS7002A-F169
    Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N 60V, 0.28A, 5Ω
39. 2N7002 — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor 2N7002
    Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N 60V, 0.115A, 7.5Ω
40. 2N7000 — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor 2N7000
    Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N 60V, 200mA, 5 Ω

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