Datasheets - FET, MOSFET simples STMicroelectronics - 2
Subsección: "FET, MOSFET simples"
Fabricante: "STMicroelectronics"
Fabricantes
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- MOSFET SuperMESH Power de 900 V, 1,1 ohmios típ. De canal N de 8 A en un paquete TO-247 Todas las características Capacidad dv / dt extremadamente alta Carga de puerta minimizada 100% probado contra avalanchas
- MOSFET PowerMESH Power MOSFET de canal N de 1500 V, 5 ohmios típ. En un paquete TO-220 Todas las características 100% probado contra avalanchas Conmutación de alta velocidad Capacidades intrínsecas y Qg minimizados La trayectoria de la distancia de ...
- MOSFET de potencia PowerMESH (TM) de 1500 V, 5 ohmios, 4 A, canal N en TO-3PF Todas las características 100% probado contra avalanchas Conmutación de alta velocidad Capacidades intrínsecas y Qg minimizados La trayectoria de la distancia de fuga es ...
- MOSFET de potencia PowerMESH (TM) de 1500 V, 5 ohmios, 4 A, canal N en TO-247 Todas las características 100% probado contra avalanchas Conmutación de alta velocidad Capacidades intrínsecas y Qg minimizados La trayectoria de la distancia de fuga es ...
- Canal N 60V - 0.020 Ohm - 28A - MOSFET DE POTENCIA DPAK StripFET (TM) II Todas las características TÍPICO R DS (encendido) = 0.020Ω 100% AVALANCHA PROBADO EXCEPCIONAL CAPACIDAD dv / dt PAQUETE DE ALIMENTACIÓN DPAK DE MONTAJE EN SUPERFICIE (TO-252) ...
- Canal N 60V - 0.020 Ohm - 28A - MOSFET DE POTENCIA DPAK StripFET (TM) II Todas las características TÍPICO R DS (encendido) = 0.020Ω 100% AVALANCHA PROBADO EXCEPCIONAL CAPACIDAD dv / dt PAQUETE DE ALIMENTACIÓN DPAK DE MONTAJE EN SUPERFICIE (TO-252) ...
- MOSFET de potencia STripFET de canal N 60V - 0.022Ω - 35A DPAK / IPAK
- Canal N 60 V, 0,022 ohmios típ., 35 A STripFET II Power MOSFET en un paquete DPAK Todas las características Unidad de umbral bajo Carga de puerta minimizada
- Canal N de grado automotriz 60 V, 22 mOhm típ., 35 A STripFET II Power MOSFET en un paquete DPAK Todas las características AEC-Q101 calificado Unidad de umbral bajo Carga de puerta minimizada
- CANAL P 30V - 0.025 Ohm - 24A STripFET II POWER MOSFET Este Power MOSFET es el último desarrollo del proceso único basado en tiras de “tamaño de función única” de STMicroelectronics. El transistor resultante muestra una densidad de empaquetamiento ...
- CANAL P 30V - 0.025 Ohm - 24A STripFET II POWER MOSFET Este Power MOSFET es el último desarrollo del proceso único basado en tiras de “tamaño de función única” de STMicroelectronics. El transistor resultante muestra una densidad de empaquetamiento ...
- CANAL P 30V - 0.025 Ohm - 24A STripFET II POWER MOSFET Este Power MOSFET es el último desarrollo del proceso único basado en tiras de “tamaño de función única” de STMicroelectronics. El transistor resultante muestra una densidad de empaquetamiento ...
- Canal N 600 V, 0.4 Ohm típ., 11 A MDmesh Power MOSFET en paquete D2PAK Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados utilizando la segunda generación de tecnología MDmesh. Estos revolucionarios MOSFET de potencia asocian una ...
- Canal N 600 V, 0.4 Ohm típ., 11 A MDmesh Power MOSFET en paquete TO-220 Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados utilizando la segunda generación de tecnología MDmesh. Estos revolucionarios MOSFET de potencia asocian una ...
- Canal N 650 V, 0.024 Ohm típico, 84 A MDmesh M5 Power MOSFET en un paquete TO247-4 Este dispositivo es un Power MOSFET de canal N basado en la innovadora tecnología de proceso vertical MDmesh M5 combinada con el conocido diseño horizontal ...
- Canal N 650 V, 0.024 ohmios típ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET en paquete de cables largos TO-247 Estos dispositivos son MOSFET de potencia MDmesh V de canal N basados en una innovadora tecnología patentada de proceso vertical, que se combina con la ...
- Canal N 650 V, 0.024 ohmios típ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET en paquete TO-247 Estos dispositivos son MOSFET de potencia MDmesh V de canal N basados en una innovadora tecnología patentada de proceso vertical, que se combina con la conocida ...
- Canal P 60 V, 0.023 ohmios típ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET en un paquete PowerFLAT 5x6
- N-Channel 60 V, 0.08 Ω, 12 A, IPAK / DPAK Tamaño de función única MOSFET de potencia
Canal N de 100 V, 0.115 ohmios, 14 A, TO-220, MOSFET de potencia de carga de puerta baja STripFETTM II
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