Datasheets - FET, MOSFET simples - 5
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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EPC2361: Transistor de potencia GaN en modo mejorado de 100 V, 101 A La excepcionalmente alta movilidad de electrones y el bajo coeficiente de temperatura del nitruro de galio permiten un RDS (encendido) muy bajo, mientras que su estructura de ...- MOSFET de canal N de 30 V (DS)
Modo de mejora del canal P Mosfet Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices.- Modo de mejora del canal P Mosfet Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices.
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