Datasheets - FET, MOSFET simples - 5
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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- MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
N-canal TrenchMOS nivel lógico FET Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal N de nivel lógico en un paquete de plástico que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y calificado para su uso únicamente en ...
MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
- FET, MOSFET simples Vishay SiHFR9310 SiHFR9310TRL-GE3
Transistores, arreglos y módulos Vishay SiHFR9310MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ... - MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
- MOSFET PowerTrench de nivel lógico de canal P único -30 V, -11 A, 14 mΩ Este MOSFET de nivel lógico de canal P se produce utilizando un proceso PowerTrench avanzado que ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ...
EPC2361: Transistor de potencia GaN en modo mejorado de 100 V, 101 A La excepcionalmente alta movilidad de electrones y el bajo coeficiente de temperatura del nitruro de galio permiten un RDS (encendido) muy bajo, mientras que su estructura de ...- MOSFET de canal N de 30 V (DS)
Modo de mejora del canal P Mosfet Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices.- MOSFET de potencia RF de banda ancha de canal N lateral, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V
- MOSFET de potencia RF de banda ancha de canal N lateral, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V
- Modo de mejora del canal P MOSFET
- MOSFET de canal N de silicio
- POTENCIA MOS V 400V 93A 0.035Ω Power MOS V es una nueva generación de MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de alto voltaje. Esta nueva tecnología minimiza el efecto JFET, aumenta la densidad de empaquetamiento y reduce la resistencia. ...
- Controlador de refuerzo síncrono de bajo coeficiente intelectual con espectro ensanchado El HL8021 es un controlador de refuerzo de alto rendimiento que impulsa una etapa de potencia de refuerzo síncrona MOSFET de canal N, que funciona desde un ...
- MOSFET de potencia de canal N único de 100 V en un paquete TO-220 La familia de MOSFET de potencia IR MOSFET utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, ...
- Matriz Mosfet de par emparejado de doble canal P Los ALD1107/ALD1117 son conjuntos de transistores MOSFET monolíticos de canal P cuádruple/doble con modo de mejora adaptados destinados a una amplia gama de aplicaciones analógicas de precisión. Los ...
- Matriz Mosfet de par emparejado de cuatro canales P Los ALD1107/ALD1117 son conjuntos de transistores MOSFET monolíticos de canal P cuádruple/doble con modo de mejora adaptados destinados a una amplia gama de aplicaciones analógicas de precisión. ...