HEMT de ruido súper bajo El FHX35LG es un transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) diseñado para amplificadores de uso general, bajo ruido y alta ganancia en el rango de frecuencia de 2-18 GHz. Este dispositivo está empaquetado en paquetes ...
MOSFET de potencia -30V -50A 25 mOhm Nivel lógico TO-220 de canal P único Este Power MOSFET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño energéticamente eficiente también ofrece un diodo de drenaje a ...
MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
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N-canal TrenchMOS nivel lógico FET Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal N de nivel lógico en un paquete de plástico que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y calificado para su uso únicamente en ...
MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
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MOSFET PowerTrench de nivel lógico de canal P único -30 V, -11 A, 14 mΩ Este MOSFET de nivel lógico de canal P se produce utilizando un proceso PowerTrench avanzado que ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ...
EPC2361: Transistor de potencia GaN en modo mejorado de 100 V, 101 A La excepcionalmente alta movilidad de electrones y el bajo coeficiente de temperatura del nitruro de galio permiten un RDS (encendido) muy bajo, mientras que su estructura de ...