Datasheets - Transistores MOSFET Simple - 6

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
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  1. Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650 SL
    10A, 650V MOSFET de orificio pasante Modo de mejora de canal N Alta corriente
  2. Datasheet Central Semiconductor CDM22011-600LRFP SL
    Modo de mejora de canal N MOSFET a través del orificio - UltraMOS
  1. Modo de mejora de canal N MOSFET a través del orificio - UltraMOS
  2. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  3. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  4. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  5. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  6. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  7. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  8. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  9. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  10. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  11. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  12. MOSFET de potencia HEXFET Los MOSFET de potencia HEXFET avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida ...
  13. MOSFET de potencia UltraFET de canal N de 100 V, 75 A, 8 mΩ
  14. MOSFET de potencia TrenchP Los MOSFET de canal P de trinchera son adecuados para aplicaciones de conmutación de lado alto en las que se puede emplear un circuito de control simple con referencia a tierra, evitando circuitos de control adicionales ...
  15. MOSFET de potencia TrenchP Los MOSFET de canal P de trinchera son adecuados para aplicaciones de conmutación de lado alto en las que se puede emplear un circuito de control simple con referencia a tierra, evitando circuitos de control adicionales ...
  16. MOSFET de potencia TrenchP Los MOSFET de canal P de trinchera son adecuados para aplicaciones de conmutación de lado alto en las que se puede emplear un circuito de control simple con referencia a tierra, evitando circuitos de control adicionales ...
  17. MOSFET de potencia TrenchP Los MOSFET de canal P de trinchera son adecuados para aplicaciones de conmutación de lado alto en las que se puede emplear un circuito de control simple con referencia a tierra, evitando circuitos de control adicionales ...
  18. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N 100 V, 170 mA, 6 Ω Este MOSFET de modo de mejora de canal N se produce utilizando una tecnología DMOS patentada de alta densidad celular. Este producto ha sido diseñado para ...