Datasheets - FET, MOSFET simples - 6
Subsección: "FET, MOSFET simples"
Fabricantes
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse Magnachip MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon WolfspeedResultados de la búsqueda: 6,994 Salida: 101-120
Ver: Lista / Imágenes
- CANAL N 500 V - 2,4 Ω - 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK SuperMESH Power MOSFET con protección Zener
- CANAL N 500 V - 2,4 Ω - 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK SuperMESH Power MOSFET con protección Zener
- CANAL N 500 V - 2,4 Ω - 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK SuperMESH Power MOSFET con protección Zener
- MOSFET de potencia SuperMESH de canal N de 500 V, 2,2 Ω típ., 3 A en paquetes IPAK y DPAK Estos dispositivos de alto voltaje son MOSFET de potencia de canal N protegidos por Zener desarrollados con la tecnología SuperMESH de STMicroelectronics, una ...
- MOSFET de potencia SuperMESH de canal N de 500 V, 2,2 Ω típ., 3 A en paquetes IPAK y DPAK Estos dispositivos de alto voltaje son MOSFET de potencia de canal N protegidos por Zener desarrollados con la tecnología SuperMESH de STMicroelectronics, una ...
MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad.- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad.
MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad.
MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad.
MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...- -60V-100V MOSFET de pequeña señal Paquete: SOT-23
- Canal P, POWERTRENCH, MOSFET de nivel lógico Este MOSFET de canal P de 60 V utiliza el proceso POWERTRENCH de alto voltaje de onsemi. Ha sido optimizado para aplicaciones de administración de energía.
- MOSFET de canal P de 30 V (DS) MOSFET de potencia TrenchFET
- Canal N 75 V, 0,0095 ohmios típ., MOSFET de potencia STripFET II de 80 A en paquete TO-220 Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la ...
- Canal N 75 V, 0,0095 ohmios típ., MOSFET de potencia STripFET II de 80 A en paquete TO-220 Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la ...
- Canal N 75 V, 0,0095 ohmios típ., MOSFET de potencia STripFET II de 80 A en paquete TO-220 Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la ...
MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...
- Transistor de potencia de GaN en modo mejorado de 150 V, 329 A
- Transistor de potencia GaN en modo mejorado de 200 V, 260 A