Datasheets - Transistores MOSFET Simple - 5

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
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  1. Datasheet Vishay Si3457CDV-T1-GE3
    MOSFET de canal P de 30 V (DS) MOSFET de potencia TrenchFET
  2. Canal N 75 V, 0,0095 ohmios típ., MOSFET de potencia STripFET II de 80 A en paquete TO-220 Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la ...
  1. Canal N 75 V, 0,0095 ohmios típ., MOSFET de potencia STripFET II de 80 A en paquete TO-220 Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la ...
  2. Canal N 75 V, 0,0095 ohmios típ., MOSFET de potencia STripFET II de 80 A en paquete TO-220 Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la ...
  3. Canal N 75 V, 0,0095 ohmios típ., MOSFET de potencia STripFET II de 80 A en paquete TO-220 Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la ...
  4. Datasheet Vishay SiHF640
    MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...
  5. Datasheet Vishay SiHF640-E3
    MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...
  6. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...
  7. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...
  8. Datasheet Vishay IRF640PbF
    MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...
  9. Datasheet Vishay IRF640
    MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...
  10. Transistor de potencia de GaN en modo mejorado de 150 V, 329 A
  11. Transistor de potencia GaN en modo mejorado de 200 V, 260 A
  12. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete DIP de 4 pines es un estilo de ...
  13. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete DIP de 4 pines es un estilo de ...
  14. MOSFET a través del orificio Modo de mejora de canal N Alta corriente
  15. Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650
    10A, 650V MOSFET de orificio pasante Modo de mejora de canal N Alta corriente
  16. Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650 SL
    10A, 650V MOSFET de orificio pasante Modo de mejora de canal N Alta corriente
  17. Datasheet Central Semiconductor CDM22011-600LRFP SL
    Modo de mejora de canal N MOSFET a través del orificio - UltraMOS
  18. Modo de mejora de canal N MOSFET a través del orificio - UltraMOS