Datasheets - Transistores MOSFET Simple - 8

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
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  1. PowerTrench de canal P MOSFET, 30V, -13A, 9mΩ Este MOSFET de canal P ha sido diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores CC/CC que utilizan controladores PWM de conmutación síncronos o convencionales y ...
  2. Nivel lógico de canal N PowerTrench MOSFET 30 V, 2,7 A, 46 mΩ Este MOSFET de nivel lógico de canal N se produce utilizando un proceso PowerTrench avanzado que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activo y, sin ...
  1. Datasheet Toshiba TK12A60U
    MOSFET de potencia (canal N 500V VDSS≤700V)
  2. MOSFET de pequeña señal 200V 250mA 10 Ohm Canal N único TO-92 Nivel lógico Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alto voltaje, como controladores de línea, controladores de relé, lógica CMOS, microprocesador ...
  3. MOSFET de pequeña señal 200V 250mA 10 Ohm Canal N único TO-92 Nivel lógico Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alto voltaje, como controladores de línea, controladores de relé, lógica CMOS, microprocesador ...
  4. MOSFET de pequeña señal 200V 250mA 10 Ohm Canal N único TO-92 Nivel lógico Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alto voltaje, como controladores de línea, controladores de relé, lógica CMOS, microprocesador ...
  5. MOSFET de canal N de 30 V
  6. Transistor de potencia SIPMOS
  7. MOSFET de potencia STripFET de canal N 50V -0.085Ω -17A TO-220
  8. Modo de mejora de canal N Vertical Dmos Fet
  9. Modo de mejora de canal N Vertical Dmos Fet
  10. Modo de mejora de canal N Vertical Dmos Fet
  11. Modo de mejora de canal P Vertical Dmos Fet
  12. Modo de mejora de canal P Vertical Dmos Fet
  13. MOSFET PowerTrench de canal P de 35 V
  14. Datasheet Fairchild FDN337N
    Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N
  15. Datasheet Fairchild FDV303N-MR
    FET digital, canal N
  16. FET digital, canal N
  17. Datasheet Fairchild FDV303N
    FET digital, canal N
  18. FET digital de canal N de 25 V, 0,68 A, 0,45 Ω Estos transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal N se producen utilizando una tecnología DMOS patentada de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad está diseñado para ...