Datasheets - FET, MOSFET simples ON Semiconductor
Subsección: "FET, MOSFET simples"
Fabricante: "ON Semiconductor"
Fabricantes
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2N7000 2N7002 BS107A BS108 BSS123 BSS138 CPH3362 FDC6312P FDD4141 FDMS86500L FDMS8690 FDN302P FDN304P FDN335N FDN336P FDN340P FDS6575 FDS6675 FDS6890A FDV302P FDV303N FQP27P06 HUF75652G3 IRF530 MCH6613 MTD20P06HDL MTP20N20E MTP2P50E MTP33N10E MTP36N06V MTP3N60E MTP50P03HDL MTW24N40E NDS0610 NDS331N NDS351AN NDS7002A NDS8434 NTBG015N065SC1 NTD3055L104 NTD3055L170 NTD4815NH NTD6600N NTDV3055L104 NTH4L015N065SC1 NTZD3155C NVBG015N065SC1 NVD3055L170 NVH4L015N065SC1 RFP12N10LResultados de la búsqueda: 246 Salida: 1-20
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MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, complementario MCPH6 Obsoleto MCH6613 es un MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, MCPH6 complementario para aplicaciones de dispositivos de ...- FET, MOSFET simples ON Semiconductor MTP33N10E
Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor MTP33N10EMOSFET de potencia de 33 amperios y 100 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ...
- FET, MOSFET simples ON Semiconductor MTP20N20E
Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor MTP20N20EMOSFET de potencia de 20 amperios y 200 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ... - FET, MOSFET simples ON Semiconductor CPH3362
Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor CPH3362MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único - MOSFET de señal pequeña, 250 mA, 200 V, canal N
- MOSFET de potencia -30V -50A 25 mOhm Nivel lógico TO-220 de canal P único Este Power MOSFET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño energéticamente eficiente también ofrece un diodo de drenaje a ...
- Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N 20 V, 1,3 A, 0,21 Ω Estos transistores de efecto de campo de potencia de modo de mejora de nivel lógico de canal N se producen utilizando la tecnología DMOS patentada de ...
- MOSFET PowerTrench de nivel lógico de canal P único -20 V, -2 A, 70 mΩ Este MOSFET de nivel lógico de canal P se produce utilizando un proceso avanzado de Power Trench que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activo ...
- Nivel lógico de canal N PowerTrench MOSFET 30 V, 1,4 A, 160 mΩ Estos MOSFET de nivel lógico de canal N se producen utilizando el proceso PowerTrench avanzado de ON Semiconductor Semiconductor que se ha diseñado especialmente para minimizar la ...
- MOSFET de potencia UltraFET de canal N de 100 V, 75 A, 8 mΩ
- Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N 100 V, 170 mA, 6 Ω Este MOSFET de modo de mejora de canal N se produce utilizando una tecnología DMOS patentada de alta densidad celular. Este producto ha sido diseñado para ...
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- MOSFET de pequeña señal 200V 250mA 10 Ohm Canal N único TO-92 Nivel lógico Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alto voltaje, como controladores de línea, controladores de relé, lógica CMOS, microprocesador ...
- FET digital de canal N de 25 V, 0,68 A, 0,45 Ω Estos transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal N se producen utilizando una tecnología DMOS patentada de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad está diseñado para ...
- Puertas lógicas de 2 entradas configurables universales TinyLogic ULP-A El NC7SV57 y NC7SV58 son puertas lógicas de dos entradas configurables universales de la serie de energía ultrabaja (ULP-A) de ON Semiconductor de TinyLogic. ULP-A es ideal ...
- Potencia MOSFET 30V 35A 15 mOhm Canal N único DPAK Energía MOSFET 30 V, 35 A, canal N único, DPAK / IPAK
- MOSFET de potencia MOSFET de potencia 100 V, 12 A, canal N, nivel lógico DPAK
- MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,6 mΩ, TO247−4L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
- MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 12 mΩ, TO247−4L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
- MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,3 mΩ, D2PAK − 7L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
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