Datasheets - Transistores MOSFET Simple ON Semiconductor

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
Fabricante: "ON Semiconductor"
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  1. MOSFET de potencia de 33 amperios y 100 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ...
  2. MOSFET de potencia de 20 amperios y 200 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ...
  1. MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único
  2. MOSFET de señal pequeña, 250 mA, 200 V, canal N
  3. MOSFET de potencia -30V -50A 25 mOhm Nivel lógico TO-220 de canal P único Este Power MOSFET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño energéticamente eficiente también ofrece un diodo de drenaje a ...
  4. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N 20 V, 1,3 A, 0,21 Ω Estos transistores de efecto de campo de potencia de modo de mejora de nivel lógico de canal N se producen utilizando la tecnología DMOS patentada de ...
  5. MOSFET PowerTrench de nivel lógico de canal P único -20 V, -2 A, 70 mΩ Este MOSFET de nivel lógico de canal P se produce utilizando un proceso avanzado de Power Trench que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activo ...
  6. Nivel lógico de canal N PowerTrench MOSFET 30 V, 1,4 A, 160 mΩ Estos MOSFET de nivel lógico de canal N se producen utilizando el proceso PowerTrench avanzado de ON Semiconductor Semiconductor que se ha diseñado especialmente para minimizar la ...
  7. MOSFET de potencia UltraFET de canal N de 100 V, 75 A, 8 mΩ
  8. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N 100 V, 170 mA, 6 Ω Este MOSFET de modo de mejora de canal N se produce utilizando una tecnología DMOS patentada de alta densidad celular. Este producto ha sido diseñado para ...
  9. TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate Este avanzado TMOS E-FET de alto voltaje está diseñado para soportar alta energía en el modo de avalancha y cambiar de manera eficiente. Este nuevo dispositivo de alta energía ...
  10. MOSFET de pequeña señal 200V 250mA 10 Ohm Canal N único TO-92 Nivel lógico Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alto voltaje, como controladores de línea, controladores de relé, lógica CMOS, microprocesador ...
  11. FET digital de canal N de 25 V, 0,68 A, 0,45 Ω Estos transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal N se producen utilizando una tecnología DMOS patentada de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad está diseñado para ...
  12. Puertas lógicas de 2 entradas configurables universales TinyLogic ULP-A El NC7SV57 y NC7SV58 son puertas lógicas de dos entradas configurables universales de la serie de energía ultrabaja (ULP-A) de ON Semiconductor de TinyLogic. ULP-A es ideal ...
  13. Potencia MOSFET 30V 35A 15 mOhm Canal N único DPAK Energía MOSFET 30 V, 35 A, canal N único, DPAK / IPAK
  14. MOSFET de potencia MOSFET de potencia 100 V, 12 A, canal N, nivel lógico DPAK
  15. MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,6 mΩ, TO247−4L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
  16. MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 12 mΩ, TO247−4L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
  17. MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,3 mΩ, D2PAK − 7L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
  18. MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 12 mΩ, D2PAK − 7L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...

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