Datasheets - FET, MOSFET simples - 2

Subsección: "FET, MOSFET simples"
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  1. MOSFET de canal N con accionamiento de 2,5 V
  2. Datasheet Rohm RJU003N03FRAT106
    MOSFET Nch de 2,5 V (calificado por AEC-Q101) en encapsulado SOT-323 Los MOSFET se fabrican con una resistencia a ON ultrabaja mediante las tecnologías de microprocesamiento adecuadas para equipos móviles de bajo consumo de corriente. En una amplia ...
  1. MOSFET Nch de 2,5 V (calificado por AEC-Q101) en encapsulado SOT-323 Los MOSFET se fabrican con una resistencia a ON ultrabaja mediante las tecnologías de microprocesamiento adecuadas para equipos móviles de bajo consumo de corriente. En una amplia ...
  2. MOSFET de canal N con accionamiento de 2,5 V
  3. MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
  4. MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
  5. MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
  6. MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
  7. MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
  8. MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
  9. MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
  10. Datasheet Diodes DMHC4035LSDQ-13
    Puente H MOSFET de modo de mejora complementario de 40 V Este puente H MOSFET complementario de nueva generación presenta 2 canales N y 2 canales P en un paquete SOIC.
  11. Puente H MOSFET de modo de mejora complementario de 40 V Este puente H MOSFET complementario de nueva generación presenta 2 canales N y 2 canales P en un paquete SOIC.
  12. Datasheet Nexperia PSMN9R0-30YL,115
    MOSFET de nivel lógico de canal N de 30 V y 8 mΩ en LFPAK Transistor de efecto de campo (FET) de nivel lógico con canal N en modo de mejora en encapsulado plástico con tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y homologado para su uso en ...
  13. MOSFET de nivel lógico de canal N de 30 V y 8 mΩ en LFPAK Transistor de efecto de campo (FET) de nivel lógico con canal N en modo de mejora en encapsulado plástico con tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y homologado para su uso en ...
  14. Datasheet Nexperia PSMN9R0-30YL
    MOSFET de nivel lógico de canal N de 30 V y 8 mΩ en LFPAK Transistor de efecto de campo (FET) de nivel lógico con canal N en modo de mejora en encapsulado plástico con tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y homologado para su uso en ...
  15. Datasheet ON Semiconductor MCH6613-TL-E
    MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, complementario MCPH6 Obsoleto MCH6613 es un MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, MCPH6 complementario para aplicaciones de dispositivos de ...
  16. MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, complementario MCPH6 Obsoleto MCH6613 es un MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, MCPH6 complementario para aplicaciones de dispositivos de ...
  17. Datasheet Diodes DMP10H400SK3-13
    Modo de mejora del canal P MOSFET Este MOSFET de modo de mejora de canal P de 100 V de nueva generación ha sido diseñado para minimizar la R DS(on) y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es ideal para ...
  18. Modo de mejora del canal P MOSFET Este MOSFET de modo de mejora de canal P de 100 V de nueva generación ha sido diseñado para minimizar la R DS(on) y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es ideal para ...