Datasheets - FET, MOSFET simples - 2

Subsección: "FET, MOSFET simples"
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  1. Datasheet Diodes DMP3099L-13
    MOSFET DE MODO DE MEJORA DEL CANAL P Este MOSFET ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido (R DS(ON) ) y aún así mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de ...
  2. MOSFET DE MODO DE MEJORA DEL CANAL P Este MOSFET ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido (R DS(ON) ) y aún así mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de ...
  1. Datasheet Vishay IRFP22N60KPBF
    MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Características La baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple Robustez mejorada frente a compuertas, avalanchas y dV/dt dinámico Capacitancia completamente ...
  2. MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Características La baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple Robustez mejorada frente a compuertas, avalanchas y dV/dt dinámico Capacitancia completamente ...
  3. MOSFET de potencia de 33 amperios y 100 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ...
  4. MOSFET de potencia de 20 amperios y 200 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ...
  5. Transistor de efecto de campo con modo de mejora de canal N y P
  6. MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único
  7. MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único
  8. MOSFET de canal N
  9. MOSFET de canal N
  10. MOSFET de canal N
  11. MOSFET de canal N
  12. MOSFET de canal N
  13. Transistor de efecto de campo
  14. MOSFET de señal pequeña, 250 mA, 200 V, canal N
  15. MOSFET de señal pequeña, 250 mA, 200 V, canal N
  16. Modo de mejora de canal N MOSTET
  17. Transistor MOSFET de canal N
  18. Transistores HEXFET de canal N de 400 V La tecnología HEXFET es la clave de la avanzada línea de transistores MOSFET de potencia HiRel de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento único de este último diseño de última ...