MOSFET Nch de 2,5 V (calificado por AEC-Q101) en encapsulado SOT-323 Los MOSFET se fabrican con una resistencia a ON ultrabaja mediante las tecnologías de microprocesamiento adecuadas para equipos móviles de bajo consumo de corriente. En una amplia ...
MOSFET Nch de 2,5 V (calificado por AEC-Q101) en encapsulado SOT-323 Los MOSFET se fabrican con una resistencia a ON ultrabaja mediante las tecnologías de microprocesamiento adecuadas para equipos móviles de bajo consumo de corriente. En una amplia ...
MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
Puente H MOSFET de modo de mejora complementario de 40 V Este puente H MOSFET complementario de nueva generación presenta 2 canales N y 2 canales P en un paquete SOIC.
Puente H MOSFET de modo de mejora complementario de 40 V Este puente H MOSFET complementario de nueva generación presenta 2 canales N y 2 canales P en un paquete SOIC.
MOSFET de nivel lógico de canal N de 30 V y 8 mΩ en LFPAK Transistor de efecto de campo (FET) de nivel lógico con canal N en modo de mejora en encapsulado plástico con tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y homologado para su uso en ...
MOSFET de nivel lógico de canal N de 30 V y 8 mΩ en LFPAK Transistor de efecto de campo (FET) de nivel lógico con canal N en modo de mejora en encapsulado plástico con tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y homologado para su uso en ...
MOSFET de nivel lógico de canal N de 30 V y 8 mΩ en LFPAK Transistor de efecto de campo (FET) de nivel lógico con canal N en modo de mejora en encapsulado plástico con tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y homologado para su uso en ...
MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, complementario MCPH6 Obsoleto MCH6613 es un MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, MCPH6 complementario para aplicaciones de dispositivos de ...
MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, complementario MCPH6 Obsoleto MCH6613 es un MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, MCPH6 complementario para aplicaciones de dispositivos de ...
Modo de mejora del canal P MOSFET Este MOSFET de modo de mejora de canal P de 100 V de nueva generación ha sido diseñado para minimizar la R DS(on) y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es ideal para ...
Modo de mejora del canal P MOSFET Este MOSFET de modo de mejora de canal P de 100 V de nueva generación ha sido diseñado para minimizar la R DS(on) y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es ideal para ...