Datasheets - FET, MOSFET simples - 2
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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- MOSFET de trinchera de canal N de 40 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
MOSFET de trinchera de canal P de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal P de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
MOSFET Nch de 2,5 V (calificado por AEC-Q101) en encapsulado SOT-323 Los MOSFET se fabrican con una resistencia a ON ultrabaja mediante las tecnologías de microprocesamiento adecuadas para equipos móviles de bajo consumo de corriente. En una amplia ...- MOSFET de canal N con accionamiento de 2,5 V
- MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
Puente H MOSFET de modo de mejora complementario de 40 V Este puente H MOSFET complementario de nueva generación presenta 2 canales N y 2 canales P en un paquete SOIC.
MOSFET de nivel lógico de canal N de 30 V y 8 mΩ en LFPAK Transistor de efecto de campo (FET) de nivel lógico con canal N en modo de mejora en encapsulado plástico con tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y homologado para su uso en ...
MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, complementario MCPH6 Obsoleto MCH6613 es un MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, MCPH6 complementario para aplicaciones de dispositivos de ...
Modo de mejora del canal P MOSFET Este MOSFET de modo de mejora de canal P de 100 V de nueva generación ha sido diseñado para minimizar la R DS(on) y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es ideal para ...
Potencia de RF GaN-SiC HEMT Transistor de potencia HEMT GaN-SiC de 30 W optimizado con la mejor potencia y eficiencia de onda continua (CW) para aplicaciones culinarias, industriales, científicas y médicas en frecuencias de 2400 MHz a 2500 MHz. El ...- Potencia de RF GaN-SiC HEMT Transistor de potencia HEMT GaN-SiC de 300 W optimizado con la mejor potencia y eficiencia de onda continua (CW) para aplicaciones culinarias, industriales, científicas y médicas en frecuencias de 2400 MHz a 2500 MHz. El ...
MOSFET de potencia Nch de 20 V y 1 A El paquete ultrapequeño (tamaño 1006) RV2C010UN es adecuado para dispositivos portátiles.
MOSFET de canal P de 2,5 V Se ha anunciado la discontinuación del producto (EOL).- Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-3
MOSFET Nch de 1,2 V Los MOSFET se fabrican con una resistencia a ON ultrabaja mediante las tecnologías de microprocesamiento adecuadas para equipos móviles de bajo consumo de corriente. En una amplia gama que incluye tipo compacto, tipo de alta ...- El IGB110S101 es un transistor de potencia en modo eléctrico de 100 V, normalmente desactivado, alojado en un pequeño encapsulado PQFN 3x3, lo que permite diseños con alta densidad de potencia. Gracias a su baja resistencia en estado activado, es ...
- El IGC033S101 es un transistor de potencia en modo eléctrico de 100 V, normalmente desactivado, alojado en un pequeño encapsulado PQFN 3x5, lo que permite diseños con alta densidad de potencia. Gracias a su baja resistencia en estado activado, es ...
- Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P, -30 V, SOT-23 Infineon Technologies ofrece a los fabricantes automotrices e industriales una amplia gama de MOSFET de pequeña señal de canal N y P que cumplen y superan los más ...
MOSFET de potencia HEXFET de canal P único de -55 V en un paquete D2-Pak