Datasheets - FET, MOSFET simples - 2
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia LDMOS RF de 1000 W para aplicaciones de transmisor Doherty de transmisión asimétrica que opera a una potencia promedio de 180 W DVB-T. La excelente robustez de este dispositivo lo hace ...- Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 1000 W para aplicaciones de transmisión Doherty de radiodifusión asimétrica, que opera a una potencia promedio de 180 W DVB-T. Su excelente robustez lo hace ideal para ...
Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 140 W para aplicaciones de transmisión de radiodifusión e industriales. El transistor puede suministrar 140 W desde HF hasta 1 GHz. Su excelente robustez y rendimiento de banda ...- Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 140 W para aplicaciones de transmisión de radiodifusión e industriales. El transistor puede suministrar 140 W desde HF hasta 1 GHz. Su excelente robustez y rendimiento de banda ...
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MOSFET DE MODO DE MEJORA DEL CANAL P Este MOSFET ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido (R DS(ON) ) y aún así mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de ...- MOSFET DE MODO DE MEJORA DEL CANAL P Este MOSFET ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido (R DS(ON) ) y aún así mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de ...
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MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Características La baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple Robustez mejorada frente a compuertas, avalanchas y dV/dt dinámico Capacitancia completamente ... - MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Características La baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple Robustez mejorada frente a compuertas, avalanchas y dV/dt dinámico Capacitancia completamente ...
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Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor MTP33N10EMOSFET de potencia de 33 amperios y 100 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ... - FET, MOSFET simples ON Semiconductor MTP20N20E
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