Datasheets - FET, MOSFET simples - 2
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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Puente H MOSFET de modo de mejora complementario de 40 V Este puente H MOSFET complementario de nueva generación presenta 2 canales N y 2 canales P en un paquete SOIC.
MOSFET de nivel lógico de canal N de 30 V y 8 mΩ en LFPAK Transistor de efecto de campo (FET) de nivel lógico con canal N en modo de mejora en encapsulado plástico con tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y homologado para su uso en ...
MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, complementario MCPH6 Obsoleto MCH6613 es un MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, MCPH6 complementario para aplicaciones de dispositivos de ...
Modo de mejora del canal P MOSFET Este MOSFET de modo de mejora de canal P de 100 V de nueva generación ha sido diseñado para minimizar la R DS(on) y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es ideal para ...
Potencia de RF GaN-SiC HEMT Transistor de potencia HEMT GaN-SiC de 30 W optimizado con la mejor potencia y eficiencia de onda continua (CW) para aplicaciones culinarias, industriales, científicas y médicas en frecuencias de 2400 MHz a 2500 MHz. El ...
Potencia de RF GaN-SiC HEMT Transistor de potencia HEMT GaN-SiC de 300 W optimizado con la mejor potencia y eficiencia de onda continua (CW) para aplicaciones culinarias, industriales, científicas y médicas en frecuencias de 2400 MHz a 2500 MHz. El ...- MOSFET de potencia Nch de 20 V y 1 A El paquete ultrapequeño (tamaño 1006) RV2C010UN es adecuado para dispositivos portátiles.
MOSFET de canal P de 2,5 V Se ha anunciado la discontinuación del producto (EOL).- Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-3
MOSFET Nch de 1,2 V Los MOSFET se fabrican con una resistencia a ON ultrabaja mediante las tecnologías de microprocesamiento adecuadas para equipos móviles de bajo consumo de corriente. En una amplia gama que incluye tipo compacto, tipo de alta ...- El IGB110S101 es un transistor de potencia en modo eléctrico de 100 V, normalmente desactivado, alojado en un pequeño encapsulado PQFN 3x3, lo que permite diseños con alta densidad de potencia. Gracias a su baja resistencia en estado activado, es ...
- El IGC033S101 es un transistor de potencia en modo eléctrico de 100 V, normalmente desactivado, alojado en un pequeño encapsulado PQFN 3x5, lo que permite diseños con alta densidad de potencia. Gracias a su baja resistencia en estado activado, es ...
- Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P, -30 V, SOT-23 Infineon Technologies ofrece a los fabricantes automotrices e industriales una amplia gama de MOSFET de pequeña señal de canal N y P que cumplen y superan los más ...
MOSFET de potencia HEXFET de canal P único de -55 V en un paquete D2-Pak- Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 1000 W para aplicaciones de transmisión Doherty de radiodifusión asimétrica, que opera a una potencia promedio de 180 W DVB-T. Su excelente robustez lo hace ideal para ...
Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 140 W para aplicaciones de transmisión de radiodifusión e industriales. El transistor puede suministrar 140 W desde HF hasta 1 GHz. Su excelente robustez y rendimiento de banda ...
Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 140 W para aplicaciones de transmisión de radiodifusión e industriales. El transistor puede suministrar 140 W desde HF hasta 1 GHz. Su excelente robustez y rendimiento de banda ...- MOSFET de canal P de 30 V El AO3401 utiliza tecnología de trinchera avanzada para brindar excelente RDS(ON), baja carga de compuerta y funcionamiento con voltajes de compuerta de tan solo 2,5 V. Este dispositivo es adecuado para usarse como ...
- MOSFET PowerTrench de canal P de 1,8 V especificado Este MOSFET de canal P de 1,8 V utiliza el proceso PowerTrench de bajo voltaje de Fairchild. Se ha optimizado para aplicaciones de gestión de energía de baterías.
MOSFET DE MODO DE MEJORA DEL CANAL P Este MOSFET ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido (R DS(ON) ) y aún así mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de ...