Datasheets - FET, MOSFET simples - 3
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 140 W para aplicaciones de transmisión de radiodifusión e industriales. El transistor puede suministrar 140 W desde HF hasta 1 GHz. Su excelente robustez y rendimiento de banda ...
Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 140 W para aplicaciones de transmisión de radiodifusión e industriales. El transistor puede suministrar 140 W desde HF hasta 1 GHz. Su excelente robustez y rendimiento de banda ...- MOSFET de canal P de 30 V El AO3401 utiliza tecnología de trinchera avanzada para brindar excelente RDS(ON), baja carga de compuerta y funcionamiento con voltajes de compuerta de tan solo 2,5 V. Este dispositivo es adecuado para usarse como ...
- MOSFET PowerTrench de canal P de 1,8 V especificado Este MOSFET de canal P de 1,8 V utiliza el proceso PowerTrench de bajo voltaje de Fairchild. Se ha optimizado para aplicaciones de gestión de energía de baterías.
MOSFET DE MODO DE MEJORA DEL CANAL P Este MOSFET ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido (R DS(ON) ) y aún así mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de ...- FET, MOSFET simples ON Semiconductor MTP33N10E
Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor MTP33N10EMOSFET de potencia de 33 amperios y 100 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ... - FET, MOSFET simples ON Semiconductor MTP20N20E
Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor MTP20N20EMOSFET de potencia de 20 amperios y 200 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ... - Transistor de efecto de campo con modo de mejora de canal N y P
- FET, MOSFET simples ON Semiconductor CPH3362
Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor CPH3362MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único - MOSFET de canal N
- Transistor de efecto de campo
- MOSFET de señal pequeña, 250 mA, 200 V, canal N
- Modo de mejora de canal N MOSTET
- Transistor MOSFET de canal N
- Transistores HEXFET de canal N de 400 V La tecnología HEXFET es la clave de la avanzada línea de transistores MOSFET de potencia HiRel de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento único de este último diseño de última ...
- MOSFET de potencia HEXFET Diseñado específicamente para aplicaciones automotrices, este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Las características ...
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- FET, MOSFET simples STMicroelectronics STF19NF20
Transistores, arreglos y módulos STMicroelectronics STF19NF20MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ...