Datasheets - FET, MOSFET simples - 3

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41. MTP33N10E — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor MTP33N10E
    Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor MTP33N10E
    MOSFET de potencia de 33 amperios y 100 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ...
42. MTP20N20E — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor MTP20N20E
    Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor MTP20N20E
    MOSFET de potencia de 20 amperios y 200 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ...

43. P2503NPG — Datasheet Niko Semiconductor
    FET, MOSFET simples Niko Semiconductor P2503NPG
    Transistor de efecto de campo con modo de mejora de canal N y P
44. CPH3362 — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor CPH3362
    Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor CPH3362
    MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único
45. JCS10N60FT-R-F-N-B — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    FET, MOSFET simples JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T JCS10N60FT-R-F-N-B
    MOSFET de canal N
46. 2SK2543 — Datasheet Toshiba
    FET, MOSFET simples Toshiba 2SK2543
    Transistor de efecto de campo
47. BS107ARL1G — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor BS107A BS107ARL1G
    MOSFET de señal pequeña, 250 mA, 200 V, canal N
48. ZVN3306A — Datasheet Diodes
    FET, MOSFET simples Diodes ZVN3306A
    Modo de mejora de canal N MOSTET
49. 2SK1940-01 — Datasheet Inchange Semiconductor
    FET, MOSFET simples Inchange Semiconductor 2SK1940-01
    Transistor MOSFET de canal N
50. IRFF330 — Datasheet Infineon
    FET, MOSFET simples Infineon IRFF330
    Transistores, arreglos y módulos Infineon IRFF330
    Transistores HEXFET de canal N de 400 V La tecnología HEXFET es la clave de la avanzada línea de transistores MOSFET de potencia HiRel de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento único de este último diseño de última ...
51. IRF2804L — Datasheet International Rectifier
    FET, MOSFET simples International Rectifier IRF2804L
    MOSFET de potencia HEXFET Diseñado específicamente para aplicaciones automotrices, este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Las características ...
52. IRF2804S — Datasheet International Rectifier
    FET, MOSFET simples International Rectifier IRF2804S
    MOSFET de potencia HEXFET Diseñado específicamente para aplicaciones automotrices, este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Las características ...
53. IRF2804 — Datasheet International Rectifier
    FET, MOSFET simples International Rectifier IRF2804
    MOSFET de potencia HEXFET Diseñado específicamente para aplicaciones automotrices, este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Las características ...
54. STF19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    FET, MOSFET simples STMicroelectronics STF19NF20
    Transistores, arreglos y módulos STMicroelectronics STF19NF20
    MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ...
55. STD19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    FET, MOSFET simples STMicroelectronics STD19NF20
    Transistores, arreglos y módulos STMicroelectronics STD19NF20
    MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ...
56. STB19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    FET, MOSFET simples STMicroelectronics STB19NF20
    Transistores, arreglos y módulos STMicroelectronics STB19NF20
    MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ...
57. STP19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    FET, MOSFET simples STMicroelectronics STP19NF20
    Transistores, arreglos y módulos STMicroelectronics STP19NF20
    MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ...
58. 2N7077 — Datasheet Inchange Semiconductor
    FET, MOSFET simples Inchange Semiconductor 2N7077
    Transistor MOSFET de canal N Accionamiento por motor, convertidor CC-CC, interruptor de alimentación y accionamiento por solenoide
59. FHX35LG — Datasheet Eudyna Devices
    FET, MOSFET simples Eudyna Devices FHX35LG
    HEMT de ruido súper bajo El FHX35LG es un transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) diseñado para amplificadores de uso general, bajo ruido y alta ganancia en el rango de frecuencia de 2-18 GHz. Este dispositivo está empaquetado en paquetes ...
60. MTP50P03HDL — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor MTP50P03HDL
    MOSFET de potencia -30V -50A 25 mOhm Nivel lógico TO-220 de canal P único Este Power MOSFET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño energéticamente eficiente también ofrece un diodo de drenaje a ...