Datasheets - FET, MOSFET simples - 4

Subsección: "FET, MOSFET simples"
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  1. MOSFET de canal P de 12 V (DS) en encapsulado SOT-23 (TO-236)
  2. Datasheet Vishay Si2333DS-T1-E3
    MOSFET de canal P de 12 V (DS) en encapsulado SOT-23 (TO-236)
  1. Datasheet Youtai SI2310A
    MOSFET de canal N de 60 V en encapsulado SOT-23
  2. Datasheet Inchange Semiconductor 2SK2350
    Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-220F
  3. Datasheet Diodes ZVNL110A
    Transistor DMOS vertical de canal N con modo de enriquecimiento en encapsulado E-Line
  4. Datasheet Diodes ZVNL110ASTZ
    Transistor DMOS vertical de canal N con modo de enriquecimiento en encapsulado E-Line
  5. Transistor DMOS vertical de canal N con modo de enriquecimiento en encapsulado E-Line
  6. Datasheet Diodes ZXM61P03FTA
    MOSFET de modo de enriquecimiento de canal P de 30 V en encapsulado SOT23
  7. Datasheet Diodes ZXM61P03FTC
    MOSFET de modo de enriquecimiento de canal P de 30 V en encapsulado SOT23
  8. MOSFET de modo de enriquecimiento de canal P de 30 V en encapsulado SOT23
  9. Datasheet ON Semiconductor FDN360P
    MOSFET de canal P único de PowerTrench en encapsulado SOT-23 Este MOSFET de nivel lógico de canal P se fabrica mediante un proceso Power Trench avanzado, especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activo y, al mismo tiempo, ...
  10. Datasheet ON Semiconductor FDN360P-NBGT003B
    MOSFET de canal P único de PowerTrench en encapsulado SOT-23 Este MOSFET de nivel lógico de canal P se fabrica mediante un proceso Power Trench avanzado, especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activo y, al mismo tiempo, ...
  11. MOSFET de canal P único de PowerTrench en encapsulado SOT-23 Este MOSFET de nivel lógico de canal P se fabrica mediante un proceso Power Trench avanzado, especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activo y, al mismo tiempo, ...
  12. Datasheet Inchange Semiconductor IIRFP260N
    Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-247
  13. Datasheet Inchange Semiconductor IRFP260N
    Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-247
  14. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2218
    Transistor de potencia GaN de modo de enriquecimiento de 100 V, 231 A
  15. Datasheet Infineon BSS316NH6327XTSA1
    MOSFET de pequeña señal de canal N de 30 V en encapsulado SOT-23
  16. MOSFET de pequeña señal de canal N de 30 V en encapsulado SOT-23
  17. Datasheet Infineon BSC060P03NS3EGATMA1
    P-channel power MOSFET in PG-TDSON-8 package
  18. P-channel power MOSFET in PG-TDSON-8 package