Datasheets - FET, MOSFET simples - 4

Subsección: "FET, MOSFET simples"
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  1. MOSFET de potencia HEXFET
  2. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
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  3. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  4. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  5. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  6. Datasheet Nexperia SI2302DS,215
    N-canal TrenchMOS nivel lógico FET Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal N de nivel lógico en un paquete de plástico que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y calificado para su uso únicamente en ...
  7. Datasheet Vishay IRFZ24PbF-BE3
    MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
  8. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  9. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  10. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  11. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  12. MOSFET PowerTrench de nivel lógico de canal P único -30 V, -11 A, 14 mΩ Este MOSFET de nivel lógico de canal P se produce utilizando un proceso PowerTrench avanzado que ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ...
  13. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2361
    EPC2361: Transistor de potencia GaN en modo mejorado de 100 V, 101 A La excepcionalmente alta movilidad de electrones y el bajo coeficiente de temperatura del nitruro de galio permiten un RDS (encendido) muy bajo, mientras que su estructura de ...
  14. MOSFET de canal N de 30 V (DS)
  15. Datasheet Diodes DMP2160UWQ-7
    Modo de mejora del canal P Mosfet Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices.
  16. MOSFET de potencia RF de banda ancha de canal N lateral, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V
  17. MOSFET de potencia RF de banda ancha de canal N lateral, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V
  18. Modo de mejora del canal P MOSFET