Datasheets - FET, MOSFET simples - 4
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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- FET, MOSFET simples STMicroelectronics STD19NF20
Transistores, arreglos y módulos STMicroelectronics STD19NF20MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ... - FET, MOSFET simples STMicroelectronics STB19NF20
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- MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
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N-canal TrenchMOS nivel lógico FET Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal N de nivel lógico en un paquete de plástico que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y calificado para su uso únicamente en ...- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
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- FET, MOSFET simples Vishay IRFR9310 IRFR9310TRLPbF-BE3
Transistores, arreglos y módulos Vishay IRFR9310MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ... - MOSFET PowerTrench de nivel lógico de canal P único -30 V, -11 A, 14 mΩ Este MOSFET de nivel lógico de canal P se produce utilizando un proceso PowerTrench avanzado que ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ...