Datasheets - FET, MOSFET simples - 7
Subsección: "FET, MOSFET simples"
Fabricantes
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse Magnachip MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba VBsemi Vishay Wayon WolfspeedResultados de la búsqueda: 7,000 Salida: 121-140
Ver: Lista / Imágenes
- Canal N 75 V, 0,0095 ohmios típ., MOSFET de potencia STripFET II de 80 A en paquete TO-220 Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la ...
- Canal N 75 V, 0,0095 ohmios típ., MOSFET de potencia STripFET II de 80 A en paquete TO-220 Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la ...
MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...
- Transistor de potencia de GaN en modo mejorado de 150 V, 329 A
- Transistor de potencia GaN en modo mejorado de 200 V, 260 A
- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete DIP de 4 pines es un estilo de ...
10A, 650V MOSFET de orificio pasante Modo de mejora de canal N Alta corriente
Modo de mejora de canal N MOSFET a través del orificio - UltraMOS- MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
- MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
- MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
- MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
- MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
- MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
- MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
- MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
- MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
- MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
- MOSFET de potencia HEXFET Los MOSFET de potencia HEXFET avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida ...