Datasheets - FET, MOSFET simples - 7
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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- Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N Estos transistores de efecto de campo de potencia de modo de mejora de nivel lógico de canal N se producen utilizando la tecnología DMOS de alta densidad de celda patentada ...
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- Nivel lógico de canal N PowerTrench MOSFET 30 V, 1,4 A, 160 mΩ Estos MOSFET de nivel lógico de canal N se producen utilizando el proceso PowerTrench avanzado de ON Semiconductor Semiconductor que se ha diseñado especialmente para minimizar la ...
- CANAL N 500 V - 2,4 Ω - 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK SuperMESH Power MOSFET con protección Zener
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- MOSFET de potencia SuperMESH de canal N de 500 V, 2,2 Ω típ., 3 A en paquetes IPAK y DPAK Estos dispositivos de alto voltaje son MOSFET de potencia de canal N protegidos por Zener desarrollados con la tecnología SuperMESH de STMicroelectronics, una ...
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MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad.- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad.
MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad.
MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad.
MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...- -60V-100V MOSFET de pequeña señal Paquete: SOT-23
- Canal P, POWERTRENCH, MOSFET de nivel lógico Este MOSFET de canal P de 60 V utiliza el proceso POWERTRENCH de alto voltaje de onsemi. Ha sido optimizado para aplicaciones de administración de energía.
MOSFET de canal P de 30 V (DS) MOSFET de potencia TrenchFET- Canal N 75 V, 0,0095 ohmios típ., MOSFET de potencia STripFET II de 80 A en paquete TO-220 Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la ...
- Canal N 75 V, 0,0095 ohmios típ., MOSFET de potencia STripFET II de 80 A en paquete TO-220 Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la ...
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MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...