MOSFET de potencia HEXFET de canal único de 30 V y diodo Schottky en un paquete DirectFET MX con capacidad de 23 amperios optimizado con baja resistencia
MOSFET de potencia de HEXFET de canal único individual de 30 V y diodo Schottky en un paquete DirectFET MX de 31 amperios optimizado con baja resistencia.