Datasheets - FET, MOSFET simples Infineon

Subsección: "FET, MOSFET simples"
Fabricante: "Infineon"
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  1. El IGB110S101 es un transistor de potencia en modo eléctrico de 100 V, normalmente desactivado, alojado en un pequeño encapsulado PQFN 3x3, lo que permite diseños con alta densidad de potencia. Gracias a su baja resistencia en estado activado, es ...
  2. El IGC033S101 es un transistor de potencia en modo eléctrico de 100 V, normalmente desactivado, alojado en un pequeño encapsulado PQFN 3x5, lo que permite diseños con alta densidad de potencia. Gracias a su baja resistencia en estado activado, es ...
  1. Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P, -30 V, SOT-23 Infineon Technologies ofrece a los fabricantes automotrices e industriales una amplia gama de MOSFET de pequeña señal de canal N y P que cumplen y superan los más ...
  2. MOSFET de potencia HEXFET de canal P único de -55 V en un paquete D2-Pak
  3. Transistores HEXFET de canal N de 400 V La tecnología HEXFET es la clave de la avanzada línea de transistores MOSFET de potencia HiRel de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento único de este último diseño de última ...
  4. Datasheet Infineon IRL520NPbF
    MOSFET de potencia de canal N único de 100 V en un paquete TO-220 La familia de MOSFET de potencia IR MOSFET utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, ...
  5. MOSFET de potencia HEXFET de canal N individual de 30 V en un paquete I-Pak
  6. MOSFET de potencia HEXFET de canal N individual de 30 V en un paquete D-Pak
  7. MOSFET de potencia StrongIRFET de canal N único de nivel lógico de 30 V en un paquete TO-220 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET está optimizada para baja R DS (encendido) y capacidad de alta corriente. Los dispositivos son ideales para ...
  8. Datasheet Infineon BSP89H6327XTSA1
    Todos los productos de canal n Small Signal son adecuados para aplicaciones automotrices (excepto 2N7002).
  9. Datasheet Infineon IRF7389TRPBF
    MOSFET de potencia HEXFET de canal doble N y P de 30 V en un paquete SO-8
  10. Datasheet Infineon IRF7425PBF
    -20V MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal P en un paquete SO-8
  11. Datasheet Infineon AUIRL7732S2TR
    Un MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de grado automotriz de 40 V en un paquete DirectFET SC clasificado en 58 amperios optimizado con baja resistencia
  12. Datasheet Infineon IRF6775MTRPBF
    MOSFET de potencia IRFET de un solo canal N de 150 V en un paquete DirectFET MZ La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET está optimizada para baja R DS (encendido) y capacidad de alta corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de ...
  13. Datasheet Infineon IRF6665TRPBF
    MOSFET de potencia IRFET de un solo canal N de 100 V en un paquete DirectFET SH para audio La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET está optimizada para baja R DS (encendido) y capacidad de alta corriente. Los dispositivos son ideales para ...
  14. Datasheet Infineon IRF3205PBF
    MOSFET de potencia HEXFET de canal simple de 55V en un paquete TO-220AB
  15. Datasheet Infineon IQE013N04LM6CGATMA1
    MOSFET de potencia de bajo voltaje OptiMOS 40V en paquete PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate con RDS líder en la industria (encendido) El IQE013N04LM6CG amplía la innovadora familia Source-Down con el MOSFET de potencia OptiMOS 40V de 1,35 mOhm ...
  16. MOSFET de potencia de bajo voltaje OptiMOS 40V en paquete PQFN 3.3x3.3 Source-Down con R DS líder en la industria (encendido) Infineon ha ampliado su innovadora familia Source-Down con el IQE013N04LM6 1.35mOhm, 40V en un paquete de 3.3x3.3 PQFN. ...
  17. Datasheet Infineon AUIRLR014N
    Automotive Q101 55V MOSFET de potencia HEXFET de canal N único en un paquete D-Pak
  18. Datasheet Infineon IRLU024NPBF
    MOSFET de potencia HEXFET de canal simple de 55V en un paquete I-Pak

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