Datasheets - FET, MOSFET simples - 8

Subsección: "FET, MOSFET simples"
Resultados de la búsqueda: 7,000 Salida: 141-160

Ver: Lista / Imágenes

  1. MOSFET de potencia UltraFET de canal N de 100 V, 75 A, 8 mΩ
  2. MOSFET de potencia TrenchP Los MOSFET de canal P de trinchera son adecuados para aplicaciones de conmutación de lado alto en las que se puede emplear un circuito de control simple con referencia a tierra, evitando circuitos de control adicionales ...
  1. MOSFET de potencia TrenchP Los MOSFET de canal P de trinchera son adecuados para aplicaciones de conmutación de lado alto en las que se puede emplear un circuito de control simple con referencia a tierra, evitando circuitos de control adicionales ...
  2. MOSFET de potencia TrenchP Los MOSFET de canal P de trinchera son adecuados para aplicaciones de conmutación de lado alto en las que se puede emplear un circuito de control simple con referencia a tierra, evitando circuitos de control adicionales ...
  3. MOSFET de potencia TrenchP Los MOSFET de canal P de trinchera son adecuados para aplicaciones de conmutación de lado alto en las que se puede emplear un circuito de control simple con referencia a tierra, evitando circuitos de control adicionales ...
  4. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N 100 V, 170 mA, 6 Ω Este MOSFET de modo de mejora de canal N se produce utilizando una tecnología DMOS patentada de alta densidad celular. Este producto ha sido diseñado para ...
  5. MOSFET de canal N de 30 V (DS)
  6. MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de 30 V en un paquete TO-220AB Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de ...
  7. TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate Este avanzado TMOS E-FET de alto voltaje está diseñado para soportar alta energía en el modo de avalancha y cambiar de manera eficiente. Este nuevo dispositivo de alta energía ...
  8. Datasheet Vishay SI1308EDL-T1-GE3
    MOSFET de canal N de 30 V (DS)
  9. MOSFET de potencia HEXFET de canal N individual de 30 V en un paquete I-Pak
  10. MOSFET de potencia StrongIRFET de canal N único de nivel lógico de 30 V en un paquete TO-220 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET está optimizada para baja R DS (encendido) y capacidad de alta corriente. Los dispositivos son ideales para ...
  11. MOSFET de potencia de canal P Estos productos son MOSFET de potencia de canal P fabricados con el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características que se aproximan a los de los circuitos LSI, proporciona una utilización óptima ...
  12. MOSFET de potencia de canal P Estos productos son MOSFET de potencia de canal P fabricados con el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características que se aproximan a los de los circuitos LSI, proporciona una utilización óptima ...
  13. MOSFET de canal N de 150 V (DS) a 175 °C
  14. Canal N 200 V (DS) 175 °C MOSFET
  15. PowerTrench de canal P MOSFET, 30V, -13A, 9mΩ Este MOSFET de canal P ha sido diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores CC/CC que utilizan controladores PWM de conmutación síncronos o convencionales y ...
  16. Nivel lógico de canal N PowerTrench MOSFET 30 V, 2,7 A, 46 mΩ Este MOSFET de nivel lógico de canal N se produce utilizando un proceso PowerTrench avanzado que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activo y, sin ...
  17. Datasheet Toshiba TK12A60U
    MOSFET de potencia (canal N 500V VDSS≤700V)
  18. MOSFET de pequeña señal 200V 250mA 10 Ohm Canal N único TO-92 Nivel lógico Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alto voltaje, como controladores de línea, controladores de relé, lógica CMOS, microprocesador ...