Datasheets - FET, MOSFET simples - 10

Subsección: "FET, MOSFET simples"
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  1. Datasheet Ampleon BLF881,112
    Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 140 W para aplicaciones de transmisión de radiodifusión e industriales. El transistor puede suministrar 140 W desde HF hasta 1 GHz. Su excelente robustez y rendimiento de banda ...
  2. Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 140 W para aplicaciones de transmisión de radiodifusión e industriales. El transistor puede suministrar 140 W desde HF hasta 1 GHz. Su excelente robustez y rendimiento de banda ...
  1. MOSFET de canal P de 30 V El AO3401 utiliza tecnología de trinchera avanzada para brindar excelente RDS(ON), baja carga de compuerta y funcionamiento con voltajes de compuerta de tan solo 2,5 V. Este dispositivo es adecuado para usarse como ...
  2. MOSFET PowerTrench de canal P de 1,8 V especificado Este MOSFET de canal P de 1,8 V utiliza el proceso PowerTrench de bajo voltaje de Fairchild. Se ha optimizado para aplicaciones de gestión de energía de baterías.
  3. Datasheet Diodes DMP3099L-7
    MOSFET DE MODO DE MEJORA DEL CANAL P Este MOSFET ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido (R DS(ON) ) y aún así mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de ...
  4. Datasheet Diodes DMP3099L-13
    MOSFET DE MODO DE MEJORA DEL CANAL P Este MOSFET ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido (R DS(ON) ) y aún así mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de ...
  5. MOSFET DE MODO DE MEJORA DEL CANAL P Este MOSFET ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido (R DS(ON) ) y aún así mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de ...
  6. MOSFET de potencia de 33 amperios y 100 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ...
  7. MOSFET de potencia de 20 amperios y 200 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ...
  8. Transistor de efecto de campo con modo de mejora de canal N y P
  9. MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único
  10. MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único
  11. MOSFET de canal N
  12. MOSFET de canal N
  13. MOSFET de canal N
  14. MOSFET de canal N
  15. MOSFET de canal N
  16. Transistor de efecto de campo
  17. MOSFET de señal pequeña, 250 mA, 200 V, canal N
  18. MOSFET de señal pequeña, 250 mA, 200 V, canal N