Datasheets - FET, MOSFET simples - 10
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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Número de pieza: FDN302P Fabricante: Fairchild Descripción: MOSFET, P, SMD, SSOT-3 Descargar hoja de datos Legajo: FDN302P Octubre 2000 FDN302P MOSFET PowerTrench especificado de canal P de 2.5V Descripción general Especificaciones: Intensidad ...- MOSFET de canal P de 30 V (DS)
Transistor de potencia en modo de mejora VDS, 100 V RDS (activado), 1,8 mΩ ID, 101 A ID pulsado, 408 A- Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N
- Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N
- Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N
- Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N
MOSFET de potencia- Transistor de modo de mejora de canal N
MOSFET de canal P de 80 V (DS)- MOSFET con clasificación de canal N de 60 V (DS)
MOSFET de doble puerta de canal N Ya no se fabrica NXP ya no acepta pedidos de la pieza y ya no la fabricará.
MOSFET de doble puerta de canal N Ya no se fabrica NXP ya no acepta pedidos de la pieza y ya no la fabricará. Repuesto (s): BF1211.
MOSFET de potencia
MOSFET de canal N de 100 V (DS)- MOSFET de potencia
- Puertas lógicas de 2 entradas configurables universales TinyLogic ULP-A El NC7SV57 y NC7SV58 son puertas lógicas de dos entradas configurables universales de la serie de energía ultrabaja (ULP-A) de ON Semiconductor de TinyLogic. ULP-A es ideal ...
- -12A, -100V, 0.30 Ohm, MOSFET de potencia de canal P
- Transistor PowerMOS
- Transistor PowerMOS