Datasheets - FET, MOSFET simples - 10

Subsección: "FET, MOSFET simples"
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  1. MOSFET de potencia STripFET de canal N 50V -0.085Ω -17A TO-220
  2. Modo de mejora de canal N Vertical Dmos Fet
  1. Modo de mejora de canal P Vertical Dmos Fet
  2. MOSFET PowerTrench de canal P de 35 V
  3. Datasheet Fairchild FDN337N
    Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N
  4. Datasheet Fairchild FDV303N
    FET digital, canal N
  5. FET digital de canal N de 25 V, 0,68 A, 0,45 Ω Estos transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal N se producen utilizando una tecnología DMOS patentada de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad está diseñado para ...
  6. Datasheet Nexperia PMF170XP,115
    MOSFET de trinchera de canal P de 20 V, 1 A Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal P en un paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) pequeño SOT323 (SC-70) que utiliza tecnología MOSFET de trinchera.
  7. MOSFET de canal P 40-V (DS)
  8. Datasheet Fairchild FDN302P
    Número de pieza: FDN302P Fabricante: Fairchild Descripción: MOSFET, P, SMD, SSOT-3 Descargar hoja de datos Legajo: FDN302P Octubre 2000 FDN302P MOSFET PowerTrench especificado de canal P de 2.5V Descripción general Especificaciones: Intensidad ...
  9. Datasheet Vishay SI2369DS-T1-BE3
    MOSFET de canal P de 30 V (DS)
  10. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2302
    Transistor de potencia en modo de mejora VDS, 100 V RDS (activado), 1,8 mΩ ID, 101 A ID pulsado, 408 A
  11. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N
  12. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N
  13. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N
  14. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N
  15. MOSFET de potencia
  16. Transistor de modo de mejora de canal N
  17. Datasheet Vishay SI2337DS-T1-E3
    MOSFET de canal P de 80 V (DS)
  18. Datasheet Vishay SI2308DS-T1-E3
    MOSFET con clasificación de canal N de 60 V (DS)