Datasheets - FET, MOSFET simples - 10
Subsección: "FET, MOSFET simples"
Fabricantes
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse Magnachip MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba VBsemi Vishay Wayon WolfspeedResultados de la búsqueda: 7,000 Salida: 181-200
Ver: Lista / Imágenes
MOSFET de canal P de 80 V (DS)- MOSFET con clasificación de canal N de 60 V (DS)
MOSFET de doble puerta de canal N Ya no se fabrica NXP ya no acepta pedidos de la pieza y ya no la fabricará.
MOSFET de doble puerta de canal N Ya no se fabrica NXP ya no acepta pedidos de la pieza y ya no la fabricará. Repuesto (s): BF1211.
MOSFET de potencia
MOSFET de canal N de 100 V (DS)
MOSFET de potencia- Puertas lógicas de 2 entradas configurables universales TinyLogic ULP-A El NC7SV57 y NC7SV58 son puertas lógicas de dos entradas configurables universales de la serie de energía ultrabaja (ULP-A) de ON Semiconductor de TinyLogic. ULP-A es ideal ...
- -12A, -100V, 0.30 Ohm, MOSFET de potencia de canal P
- Transistor PowerMOS
- Transistor PowerMOS
- Potencia MOSFET 30V 35A 15 mOhm Canal N único DPAK Energía MOSFET 30 V, 35 A, canal N único, DPAK / IPAK
FET digital, canal N Especificaciones: Id de corriente de drenaje continuo: 220 mA Identificación de corriente máxima: 220 mA Temperatura actual: 25 ° C Voltaje de la fuente de drenaje Vds: 25 V ESD HBM: 6 kV Profundidad externa: 2,5 mm Longitud / ...- MOSFET de potencia MOSFET de potencia 100 V, 12 A, canal N, nivel lógico DPAK
- MOSFET de canal N de 30 V
- MOSFET de canal N de 30 V
- MOSFET de canal P de 30 V
- Canal N 45 V, 1,4 mOhm típ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET en un paquete PowerFLAT 5x6 Todas las características Entre los R DS (activado) más bajos del mercado Excelente FoM (figura de mérito) Relación baja C rss / C iss para inmunidad EMI Gran ...
- MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal P -100V en un paquete TO-220AB
- Transistor de modo de mejora de canal N