Datasheets - FET, MOSFET simples - 10
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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MOSFET de potencia (canal N 500V VDSS≤700V)- MOSFET de pequeña señal 200V 250mA 10 Ohm Canal N único TO-92 Nivel lógico Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alto voltaje, como controladores de línea, controladores de relé, lógica CMOS, microprocesador ...
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Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N- FET digital, canal N
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MOSFET de trinchera de canal P de 20 V, 1 A Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal P en un paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) pequeño SOT323 (SC-70) que utiliza tecnología MOSFET de trinchera.- MOSFET de canal P 40-V (DS)
Número de pieza: FDN302P Fabricante: Fairchild Descripción: MOSFET, P, SMD, SSOT-3 Descargar hoja de datos Legajo: FDN302P Octubre 2000 FDN302P MOSFET PowerTrench especificado de canal P de 2.5V Descripción general Especificaciones: Intensidad ...
MOSFET de canal P de 30 V (DS)
Transistor de potencia en modo de mejora VDS, 100 V RDS (activado), 1,8 mΩ ID, 101 A ID pulsado, 408 A- Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N
- Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N